来源：新浪科技
新浪科技讯 9 月 20 日晚间消息，近日，安世中国在上海举办开放日活动。
据悉，自晶圆供应渠道中断后，安世中国自 2025 年第四季度起集中开展晶体管晶圆替代方案攻关，并于 2026 年一季度末与中国战略合作伙伴达成合作，顺利完成 12 英寸晶圆工艺平台导入，同步推进新产品验证及量产导入工作。
产品线层面，安世中国多款核心产品的量产与研发进展同步披露，覆盖双极性分立器件、功率器件、逻辑与模拟芯片全品类。
安世中国已成功实现部分 12 英寸晶圆双极型二极管、三极管的研发设计与量产，单基板芯片产量相比 8 英寸提升两倍以上。同时，针对原有 6 英寸、8 英寸晶圆制程的主流产品推进全面迭代升级，目前已有数十个核心平台完成新品开发或处于研发推进阶段，覆盖各类小信号二极管、晶体管、保护器件、各类功率器件全品类。
MOSFET 领域，基于先进 SGT 平台打造的 T2x 系列达到领先性能，同样封装下具备极致通流能力，功率承载上限较传统 T6 系列提升两倍以上；产品线同步从 40V 向 80V、100V 中高压区间延伸，发布的 40-100V 汽车 MOSFET 产品组合，已导入国内头部新能源车企及 AI 设备客户并实现批量供货。
IGBT 领域，1200V FS8 系列 IGBT 研发稳步推进，样品实测性能优于市面第七代 IGBT 产品，正开展最终可靠性验证，有望成为首款全维度满足车规标准的新一代 IGBT；其高速型号开关特性接近碳化硅器件，兼具可靠性与成本优势，可适配 AI 算力基础设施场景。
安世中国当前 12 英寸平台量产逻辑芯片料号超 1300 颗，覆盖消费电子、工业、汽车、AI 多类应用，预计四季度完成近 3000 颗存量产品的平台迭代更新。全新 HCS 系列逻辑芯片具备低噪声、低延时、高可靠特性，性能业界领先。
电源管理 IC 方面，面向 AI 服务器推出的 NEXH5890 宽输入电压高功率热插拔控制器支持 9V 至 80V 宽压输入，可直接驱动最多 10 颗功率 MOSFET 并联运行，外围器件数量减少 30% 以上；NEX83X88 系列高功率密度 PFC 控制器将自适应可变导通时间控制引入 CRM 架构，所需电感量减少近 40%，整机功率密度提升 35% 以上。
车载多通道 LED 驱动器已实现量产交付，全系列满足 ISO26262 ASIL-B 功能安全等级；消费电子领域推出的 NEX10058 三通道 AMOLED 偏置电源 IC，导通损耗较竞品降低近一半。
此外，安世中国正与中国战略合作伙伴协同开发车规级 40V V-BCD、120V 高压 BCD 等工艺平台。
供应保障方面，安世中国构建研发、制造、封测一体化自主可控产业链，交付周期已由 12 至 16 周缩短至 4 至 6 周，新品开发周期压缩至 6 至 12 个月。受供应链调整影响阶段性承压的 MOSFET、逻辑与模拟 IC 产品，供货连续性正逐步改善；晶体管产品供应预计将于 2026 年下半年陆续恢复常态。
品质层面，安世中国半导体业务超过九成的产品符合车规级要求；业内率先以十亿分之一缺陷率作为质量衡量基准，目前已顺利通过众多国内外客户的审厂与测试。
未来，安世中国计划于第四季度集中推出更多新品，进一步完善各应用领域产品供给。
