快科技 9 月 8 日消息，Intel 前不久出乎意外地宣布他们已经在 18A 工艺上就使用了 High NA EUV 光刻机，这比预定的 14A 工艺才导入这一技术提前了 2 年之久。
现在 Intel 及 ASML 联合宣布了 High NA EUV 光刻机已经量产了 100 万片晶圆，这也是该技术的一个重要里程碑。
前不久 ASML 公布的消息是 High NA EUV 在全球多个工厂中已经量产了 135 万片晶圆，这意味着 100 万片都是 Intel 生产的，主要是 18A 工艺，看起来这个技术进度还是远超预期的。
剩下的 35 万片 High NA EUV 晶圆应该是台积电、三星、SK 海力士等公司用于测试及小规模生产的，还没有大规模用于量产工艺。
前全球有 4 家客户投入了 10 台 High NA EUV 光刻机，还有 3 台系统正在出货安装中。
Intel 不仅是 ASML 公司 High NA EUV 光刻机的最大客户，这次双方还联合宣布一项更重要的合作，那就是合作开发 6x12 英寸面积的 High NA EUV 光罩（也叫掩模版），计划在 2031 年试产，2033 年正式量产。
光罩尺寸也是之所以 High NA EUV 光刻发展缓慢的一个重要因素，当前的 EUV 光刻机可以使用 6x6 英寸光罩制造的芯片面积理论极限在 858mm2，实际量产的芯片面积大约是 800mm2，NVIDIA 的 AI GPU 几乎就是沿着极限做的，这也是为何几代 AI 芯片面积都是这个面积的原因。
但是 High NA EUV 光刻现在的技术下视场减半，导致制造出来的芯片理论面积在 429mm2，这个大小是做不了高性能 AI 芯片的。
这个技术解决了，High NA EUV 光刻技术最大的死穴才能破除，未来才能用于高性能芯片制造。
责任编辑：宪瑞
