全球首款碳化硅超级结功率器件发布
9 月 7 日，瑶芯微电子正式发布全球首款碳化硅超级结 MOSFET，凭借五年产学研联合攻关，携手西电郝跃院士团队与芯联集成，实现该项前沿技术从实验室到产业化的全球首次落地，标志着中国碳化硅功率器件从 " 国产替代 " 迈入 " 原创领跑 " 新阶段。
碳化硅超级结是下一代功率器件核心技术，可破解传统器件损耗与耐压的性能瓶颈，但长期存在工艺难度大、电场调控难、电荷平衡精度要求极高等全球性难题。研发团队依托高能离子注入、精准多层外延、鲁棒电荷平衡设计等核心技术，攻克多项行业壁垒，大幅提升器件工艺容错性与量产稳定性。
该 1200V 器件性能逼近碳化硅物理极限，具备 1635V 超高耐压，高低温导通电阻表现优异，实现宽温域零温漂，功率密度提升 81%，兼顾超低损耗与高频特性，且已通过车规级 AEC-Q101 认证，可靠性突出。
目前产品已完成量产适配，依托 8 英寸晶圆工艺有效降本，首批落地数据中心高压供电、AI 服务器电源高端场景，后续可拓展新能源汽车、光伏储能、高压电网等领域。在海外巨头尚处技术规划阶段的背景下，本次国产技术突破，抢占了下一代碳化硅技术赛道先机，重塑全球第三代半导体产业竞争格局。
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