8 月 29 日，长鑫宣布 LPDDR6 正式量产：峰值速率 12800Mbps，最高容量 16GB，将在 9 月首发搭载小米 18 Fold。
两天后，媒体报道称，长鑫已开始小规模生产 HBM3E，寒武纪、阿里平头哥等则在进行适配测试，进展顺利，最早明年可进入产品。
虽然 HBM3E 只是未经企业确认的消息，" 小规模生产 " 也不等于批量交付，但这对长鑫、中国乃至全球存储产业而言，都是改变格局的大事。
LPDDR6 与 HBM，一个通向消费电子高端市场，一个通向 AI 算力，合起来就是全球存储行业当前最重要的两块高价值市场。
也是韩国正拿出国运民生一起豪赌的产业命脉。
今年上半年，长鑫创造了堪称惊人的业绩：实现营收 1503.1 亿元、归母净利润 776.05 亿元。
但这业绩暴增主要受益于 AI 让三星、SK 海力士、美光持续将 DRAM 产能升级导入 HBM，让全球 DRAM 供不应求和价格大涨，有很强的周期红利。
甚至消极一点说，是捡了 HBM 需求突然爆发的 " 漏 "。
若三星、SK 海力士、美光腾出手来加大 DRAM 产能，" 漏 " 被堵上，长鑫还只有 DRAM，那就又会被卷入红海，在周期红利之后吃周期的苦。
如何避免昙花一现？最重要的途径就是，杀入 HBM。
不同于做好就能卖给所有客户的标准品 DRAM，HBM 要提前进入 AI 芯片设计，围绕带宽、功耗、封装和散热与客户共同验证。
它会倒逼长鑫提升整个研发制造平台的能力，一旦成功，也能享受更高的技术溢价和客户黏性，更确保业绩的可持续性。
AI 时代，HBM 也是存储的更大增长极。
所以，长鑫做 HBM，不只是增加一条产品线，也是从根本上改命。
对中国芯片产业，HBM 同样意义重大。
过去讨论国产 AI 芯片，注意力几乎都在 GPU 和算力指标上。但一颗 AI 芯片真正工作，需要计算芯片、HBM、先进封装、互联和软件共同组成系统。
而中国的 HBM，目前就指望长鑫了。
朱一明当年创办长鑫科技时，曾表明自己的梦想，想要做中国的三星。HBM 的突破，也将让他距离这一目标更近。
当然，长鑫的路也还长。即便小规模生产成功，后面也还有良率、成本、产能、封装和客户验证；而且，SK 海力士、三星已向 HBM4、HBM4E 推进，长鑫才开始 HBM3E，代差仍大。
但想想这 10 年来，长鑫如何突破差距，再对比现在，时间将更站在谁一边，答案也是明确的。
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