高盛 9 月 1 日发布最新存储价格跟踪报告称，2026 年三季度 DRAM 与 NAND 的平均售价走势与此前预期基本吻合，存储芯片整体仍处于景气上升通道，因此继续给予韩国存储双雄——三星电子和 SK 海力士—— " 买入 " 评级。
PC DRAM 涨幅超预期
PC DRAM 是此次报告中表现最强的细分领域之一。
8 月，DDR4 8GB PC 内存模组合约价格由 139 美元升至 142 美元，环比上涨 2%；DDR5 8GB 价格则由 130 美元升至 133 美元，同样上涨 2%。由于二者涨幅一致，DDR5 相对于 DDR4 仍维持约 6% 的价格折价，与 7 月基本相同。
在此背景下，研究机构 TrendForce 将三季度 PC DRAM 价格涨幅预期由 15% — 20% 进一步上调至 18% — 23%，已经略高于高盛此前对三星电子和 SK 海力士平均 PC DRAM 售价环比上涨 17% 的预测。
DRAM 属于典型的周期性半导体产品，价格高度受到厂商产能、客户库存以及终端需求变化影响。在经历前期供给调整之后，一旦厂商扩产保持克制，而需求逐步恢复，价格往往具有较强的向上弹性。
报告中的现货市场数据也显示出价格仍处于偏强状态。目前DDR5 16Gb 现货价格较最新合约价格高出约 16%，DDR4 8Gb 现货价格的溢价更达到 43%。
较高的现货溢价意味着短期市场价格明显高于此前签订的合约价格，不过其能否完全传导至后续合约价，仍取决于实际供需和客户采购情况。
AI 需求支撑服务器 DRAM
相比 PC 市场，服务器 DRAM 价格走势同样保持强势，并与高盛此前预期基本一致。
8 月，DDR4 64GB 服务器内存模组价格维持在 1295 美元不变，而 DDR5 64GB 模组价格环比上涨 1% 至 1500 美元。这使得 DDR5 相对 DDR4 的价格溢价由 7 月的 15% 进一步扩大至 16%。
TrendForce 继续预计，三季度服务器 DRAM 价格将环比上涨 13% — 18%，基本符合高盛对三星电子和 SK 海力士服务器 DRAM 平均售价环比上涨 18% 的判断。
服务器存储也是当前存储行业供需结构发生变化的重要一环。AI 数据中心不仅推动 HBM 需求快速增长，也提高了服务器端对传统 DRAM 容量和性能的要求。更重要的是，HBM 和先进服务器 DRAM 会占用存储厂商的晶圆产能和生产资源。
因此，即便部分消费电子需求出现波动，只要三星、SK 海力士等厂商继续优先满足服务器 DRAM 和 HBM 需求，传统 PC 及移动 DRAM 的供给扩张空间便可能受到限制。此次报告也将这种产能配置变化视为未来存储价格的重要支撑。
手机内存涨价明显降温，但供给约束仍在
与 PC 和服务器市场相比，移动 DRAM 正在出现明显降温。
TrendForce 预计，2026 年三季度移动 DRAM 价格环比上涨 8% — 13%，远低于二季度高达 70% — 83% 的涨幅，也略低于高盛此前预计的三星和 SK 海力士平均售价上涨 14%。
涨价速度放缓的主要原因并非供应大幅增加，而是客户库存水平升高，导致短期采购动能减弱。
TrendForce 预计，四季度移动 DRAM 环比涨幅还将进一步下降至 0% — 5%。不过，其对 2027 年的价格走势仍保持积极判断，核心原因正是存储供应商预计继续优先将产能配置给服务器 DRAM 和 HBM。
这意味着当前移动 DRAM 正在呈现 " 需求降温、供给仍受约束 " 的结构。
NAND 同步涨价
报告显示，三季度 eMMC/UFS 256GB 移动 NAND 合约价格环比上涨约 20%，与高盛此前预计整体 NAND 价格环比上涨 15% — 20% 基本一致。
虽然报告对 NAND 着墨相对有限，但 DRAM 和 NAND 同步维持较高涨幅，意味着主要存储厂商的产品价格环境仍然较为有利。
高盛维持三星、SK 海力士 " 买入 "
基于当前存储价格走势，高盛继续维持对两家韩国存储龙头的积极评级。
三星电子普通股 12 个月目标价为 49 万韩元，优先股目标价为 36 万韩元，两者均维持 " 买入 " 评级。
SK 海力士 12 个月目标价为 350 万韩元，对应高盛采用的 2026 — 2027 年平均盈利 9 倍目标市盈率。
不过，高盛同时提示，存储供需环境明显恶化仍是两家公司的核心风险。
三星还面临智能手机利润率收缩和移动 OLED 市场份额下降风险；SK 海力士则需关注 PC、手机和服务器需求转弱、三星 HBM 业务进展，以及 AI 资本开支下降可能带来的 HBM 需求压力。
