该战略核心在于向垂直集成内存结构转型。三星电子内存产品规划团队负责人崔昌锡指出，通过垂直扩展而非增加主板占地，可突破印刷电路板面积限制，有效提升内存容量。同时，优化逻辑电路与内存在 3D 结构中的排列，以及缩短芯片间连接距离，将构建起 " 垂直高速公路 "，显著降低处理延迟并提升数据传输带宽。
在能效方面，3D 技术的终极目标是降低移动单个数据比特所需的能量，以应对 AI 系统功耗增加及散热挑战。
路线图延伸至未来世代
三星将高带宽内存（HBM）路线图延伸至未来世代。目前开发的第八代 HBM（HBM5），目标性能为 HBM4E 的两倍，每瓦特性能提升 20%，热阻降低 20%。更进一步的 zHBM 研发中，目标性能达 HBM4E 的八倍，每瓦特性能提升三倍，热阻降低 75% 至 90%。
在 NAND 闪存领域，三星推出专为大语言模型海量容量需求设计的 zNAND-O 解决方案。该技术数据访问速度优于传统 NAND，目标实现 DRAM 位密度的 10 倍，以及 NAND 读取带宽和能效的七倍，计划于 2028 年进行样品测试。
主导两大内存市场
市场数据显示，三星正主导全球主要内存市场。第二季度，三星在全球 DRAM 收入份额中占比 39%，领先于 SK 海力士（26%）和美光科技（25%）。在 NAND 闪存市场，受 AI 服务器对企业级 SSD 需求拉动，三星以 29.3% 的份额领跑，推动其第二季度 NAND 收入增长。
三星表示，将利用技术和制造规模优势，满足传统内存市场以及 HBM 和企业级 SSD 等高价值 AI 产品的日益增长的需求。
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