高盛分析称，随着国内产能扩张，中国有望在未来十年大幅提高先进芯片产量，但光刻技术仍是实现半导体自给自足的主要障碍。
据中国媒体报道，2025 年至 2035 年间，中国国内先进晶圆供应量预计将以 46% 的复合年增长率增长，而需求量预计将增长 17%。
中芯国际扩产或推动先进芯片产量增长
预计供应增量的大部分将来自中芯国际——中国最大的晶圆代工厂，该公司正在扩大产能并提升良率。
高盛的模型假设，从 2026 年到 2031 年，中芯国际每年将新增 3 万至 5 万片先进制程晶圆的月产能；此后至 2035 年，每年再新增 2 万片月产能。
良率预计将从 2026 年的 23% 提升至 2030 年的 50%，到 2035 年达到 75%。
相比之下，全球最大代工厂台积电于 2018 年开始量产 7 纳米芯片，根据芯片设计和裸片尺寸等因素，其良率可超过 90%。
2020 年华盛顿收紧对华为的限制、切断其与台积电的合作后，中国加快了国产芯片制造步伐。尽管随后美国主导对先进半导体制造设备实施出口限制，中芯国际仍在 2023 年为华为生产了一款 7 纳米芯片。
据高盛数据，按产量计算，中国芯片自给率在 6 月已达到约 70%，而 2010 年 1 月仅为 38%。不过报告指出，按价值衡量，差距仍然大得多。
半导体投资预计持续攀升
据高盛预测，到 2030 年，中国半导体资本支出预计将继续以两位数的年增长率增长，达到 820 亿美元。这一预测比该行一年前的估计高出 79%。
高盛分析师写道：" 我们对半导体资本支出的持续增长保持乐观。" 其理由包括人工智能需求增长、中国国内半导体生态系统的发展，以及向更先进芯片、封装和存储产品的迈进。
高盛预计，2027 年中国晶圆制造设备市场规模将达到 530 亿美元。按价值计算，国内供应商在 2028 年预计将占据 38% 的市场份额，而去年为 26%。
据高盛称，中国制造商已从刻蚀和沉积等领域扩展至离子注入、检测和量测领域。
然而，光刻技术仍是一个显著短板。
中国几乎所有的尖端深紫外光刻机仍依赖荷兰制造商阿斯麦，而部分深紫外系统面临美国出口限制。中国也无法获得阿斯麦最先进的极紫外光刻机。
报告指出，负责研发国产先进光刻系统的国有企业上海微电子装备集团仍落后于其国际竞争对手。
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