【CNMO 科技消息】8 月 13 日，据韩媒消息，SK 海力士将于 8 月 27 日（当地时间）在美国印第安纳州西拉斐特（West Lafayette）为其先进半导体封装工厂举行正式动工仪式。SK 集团会长崔泰源与英伟达 CEO 黄仁勋是否同台出席，成为此次动工仪式最受关注的焦点。
一、动工仪式：崔泰源与黄仁勋或再聚首
据业内消息，SK 海力士已向主要客户及合作伙伴发出邀请，动工仪式定于 8 月 27 日在印第安纳州西拉斐特举行。SK 海力士代表理事社长郭鲁正等主要管理层将出席，崔泰源会长与英伟达 CEO 黄仁勋的参会可能性也备受关注。
SK 海力士与英伟达在 AI 数据中心及 HBM 供应方面保持着紧密合作关系。崔泰源与黄仁勋自去年以来已多次在韩国与美国会面。若两人在此次动工仪式上再次同台，外界普遍关注崔泰源是否会就美国追加投资及海外生产基地战略发表进一步表态。
二、投资规模：38.7 亿美元，美国提供补贴
SK 海力士计划向印第安纳州工厂投资 38.7 亿美元（约 5.5 万亿韩元），建设先进封装生产基地及研发设施。美国政府将向 SK 海力士提供最高 4.5 亿美元的直接补贴及 5 亿美元规模的贷款。该工厂已于今年上半年启动现场混凝土浇筑作业，此次动工仪式后将正式进入主体结构施工阶段。
三、量产计划：2028 年下半年启动 HBM 量产
该工厂的目标是在 2028 年下半年开始量产高带宽存储器（HBM）等先进封装半导体产品。该基地将作为与英伟达等大型科技企业 HBM 生产与研发合作的桥头堡。
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