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财联社-深度 7分钟前

存储“三国杀”变局:三星扩大领先 美光追近海力士

财联社 8 月 5 日讯(编辑 史正丞)研究机构 Counterpoint Research 周二发布的《全球存储追踪》报告显示,三星电子进一步扩大在存储市场的领先地位,而去年此时领跑的 SK 海力士已经跌到与美光 " 肩并肩 " 的状态。

分析师还特别提到中国 DRAM 龙头长鑫科技的高速增长,并乐观展望中国芯片公司撼动当前 " 存储三强争霸 " 格局的前景

报告显示,三星电子二季度拿下全球 DRAM 市场 39% 的份额,重回 2024 年以来的高位。

与此同时,尽管 SK 海力士的季度营收同比激增 214%,但市场份额却从去年 Q2 的 39% 骤降至 26%;美光科技的市场份额升至 25%,已经悄悄摸到海力士身后。

(全球 DRAM 市场营收份额,2026 年第二季度,来源:Counterpoint Research)

分析指出,今年二季度传统 DRAM 价格环比显著上涨,但 HBM 价格同比走低。其中,受现有 HBM3E 产品降价以及 HBM4 量产延迟影响,HBM 平均售价降幅较为明显。不过,随着传统 DRAM 价格持续上涨,目前 " 相对较低 " 的 HBM 价格预计将在 2027 年迎来大幅上涨。

这也正是三星和 SK 海力士 " 此消彼长 " 的核心原因。

Counterpoint 研究总监 MS Hwang 评论称:" 与竞争对手相比,SK 海力士的出货量和营收中来自 HBM 的比例最高,因此公司在 HBM 价格下跌中遭受较大冲击。其次,SK 海力士比竞争对手更早签署长期协议(LTA)。长期协议基于固定合同价格设定价格上限和下限,这意味着在内存价格上涨周期中,较早谈妥的固定价格会低于当前水平。"

对海力士而言,潜在的利好在于英伟达、AMD 新一代旗舰 AI 机架开始出货,带动 HBM4 出货量开始增加。

话虽如此,Counterpoint 依然认为美光科技将超越 SK 海力士,坐上全球 DRAM 第二大厂商的位置。

研究副总裁尼尔 · 沙阿(Neil Shah)表示:" 根据我们的估算,美光的 DRAM 营收自 2025 年第二季度以来已经增长了 5 倍,这使得该公司有望超越 SK 海力士,并可能很快跃居全球第二的位置…这最终将取决于谁拥有足够的产能,避免将利润拱手让给竞争对手,以及长期供应协议(LTA)如何形成。"

三巨头激烈厮杀之际,长鑫科技以同比增长 716% 成为全球增长最快的 DRAM 供应商

沙阿指出,如果长鑫能够扩大产能、提升技术能力,并从 PC 市场以及潜在海外一线客户切入,满足国内外客户需求,其市场份额有望快速提升。随着长鑫崛起,存储行业竞争格局或将在一年后发生显著变化。

他认为,市场关注的焦点已经从 " 长鑫能否进入全球存储三强 " 转变为 " 长鑫何时能够跻身这一阵营 "。

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