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据韩联社 4 日报道，韩国芯片巨头 SK 海力士当天宣布，公司联手美国闪迪公司共同发布下一代存储技术高带宽闪存（HBF）的首个标准规范。闪迪也通过公司官网发布了这一消息。
据悉，当地时间 4 日至 6 日，美国加利福尼亚州将举办 2026 全球闪存峰会。SK 海力士计划在峰会期间发表主题演讲并参与圆桌论坛，介绍 HBF 作为破解 AI 时代内存瓶颈的关键技术。
HBF 是介于高带宽内存（HBM）与固态硬盘之间的新型存储层级，该技术兼具接近 HBM 的高速数据传输能力，同时依托 NAND 闪存技术实现存储容量大幅扩容。
此次发布的标准规范，是继 SK 海力士去年 8 月与闪迪启动 HBF 标准化合作并于今年 2 月成立联盟后，历时约 6 个月推出的首项成果。
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▌本文来源：央视财经（ID：cctvyscj）
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