SK 海力士，蒸发 1.45 万亿元；
三星电子，蒸发 1.15 万亿元；
美光科技，蒸发 1.39 万亿元。
截至北京时间 7 月 30 日，海外三大存储巨头本周以来的市值已经累计蒸发约 4 万亿元。而刚刚登陆 A 股的长鑫科技却逆势大涨，自 27 日上市以来，市值累计大增 2.9 万亿元。
走势为何如此分化？
为了绑定硅谷 AI 企业，存储三巨头将大量产能 " 锁死 " 在 HBM（高带宽内存），为深耕 DRAM（动态随机存取存储器）的长鑫科技腾出了巨大的市场空间。
硅谷 AI 巨头最新财报显示，投入仍在增长，但自由现金流面临大幅缩水。有美国半导体分析师向《每日经济新闻》记者预测称，AI 支出终有停滞的一天，届时 DRAM 行业四家头部企业中，恐有一家出局。
AI 狂潮下的冰火两重天：存储三巨头大跌，长鑫科技四日市值大增 2.9 万亿元
7 月 29 日和 7 月 30 日，SK 海力士和三星电子发布的最新财报显示，营业利润增幅亮眼，但 SK 海力士股价在 29 日当天一度跌逾 19%，创下历史最大单日跌幅，本周累跌 25%，市值累计蒸发 308 万亿韩元（约合人民币 1.45 万亿元）；三星电子本周累跌 17%，市值蒸发约 244.8 万亿韩元（约合人民币 1.15 万亿元）。
另一大存储巨头美光科技本周也下跌近 20%，市值累计蒸发 2054 亿美元（约合人民币 1.39 万亿元）。
7 月 30 日，微软宣布，2026 财年第四财季（截至今年 6 月）资本支出达到 410 亿美元，同比增长超过 70%。同日，Meta 的财报显示其二季度资本支出同比大增 83% 至 310.8 亿美元。
上周公布财报的谷歌和特斯拉也在继续扩大 AI 投入。谷歌将 2026 年全年资本开支指引上调至 1950 亿 ~2050 亿美元，这是谷歌年内第二次上调资本开支指引。马斯克也在财报会上强调，今年资本开支将超 250 亿美元，并且未来两到三年还将持续增长。
为了满足科技巨头的需求，三星电子、SK 海力士、美光科技过去两年主动调整产能结构，将先进制程晶圆投向利润丰厚的 HBM，这给正在发力 DRAM（动态随机存取存储器）的长鑫科技带来了巨大的市场空间。
瑞银集团（UBS）发布的《存储芯片月度报告》显示，单台 AI 服务器搭载的 DRAM 容量是传统数据中心服务器的 8 至 10 倍。今年 7 月，全球存储芯片的销售额达到 746 亿美元，创下行业有史以来最高月度纪录，环比上涨 31.7%。其中，DRAM 销售额约为 480 亿美元，是存储芯片市场营收的核心，环比增长 27.7%。
瑞银预计，2026 年第三季度 DRAM 合约价格预计将环比上涨 32%，第四季度续涨 18%。至少到 2028 年第二季度，DRAM 的供应将持续处于结构性短缺状态。
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持续高企 AI 投资，导致硅谷科技巨头过去十多年积累的现金正在被吞噬。
Meta 二季度的自由现金流同比大跌 91% 至 7.84 亿美元；微软的 Azure 业务虽然加速增长，全年营收首破 1000 亿美元，但在 AI 开支增长的背景下，第四财季的自由现金流依然下跌 23%；谷歌和特斯拉的自由现金流更是直接转负，且谷歌是自 2004 年上市以来单季自由现金流首次跌至负值。
摩根大通近期的《Flows & Liquidity》报告显示，美国主要科技巨头的 AI 基础设施资本开支整体增速预计将在 2027 年急剧放缓，从 2026 年的 100% 骤降至 22%，到 2028 年进一步回落至 7%。
SK 海力士在二季度的财报电话会议上则反驳了 AI 投资放缓担忧，称高效 AI 模型的普及不太可能导致对基础设施和内存的需求下降。在与主要客户进行的中长期需求洽谈中，公司也确认了 AI 投资的可持续性，相信 AI 基础设施投资在明年之后仍将保持稳健。
三星电子也预计 2026 年下半年，随着 AI 基础设施资本支出的持续投入以及代理式 AI 的广泛应用，以服务器为中心的需求将保持强劲。与此同时，服务器 DRAM、eSSD（企业级固态硬盘）和 HBM 的需求增长预计将加速。
美国知名半导体分析师、独立市场研究与咨询机构 Objective Analysis 总经理 Jim Handy 告诉《每日经济新闻》记者，"AI 领域资本投入终有阶段性停滞的一天，届时会直接引发 DRAM 行业价格暴跌。"
他预计，DRAM 行业未来会出现类似 2000 年互联网泡沫时的调整。他进一步说道：" 一旦行业迎来周期回调，营收增速大概率回落至 2000 — 2024 年的低速区间。行业高景气增长阶段，能够容纳四家头部玩家，一旦增长失速，大概率会有一家企业出局。"
SK 海力士和三星电子已决定扩产。6 月底，韩国政府联手三星、SK 集团公布了总计 4755 万亿韩元的企业国内投资计划，包括在韩国西南部投资 800 万亿韩元（约 5180 亿美元）建设四座半导体制造厂，三星电子和 SK 海力士各建两座。
在 Jim Handy 看来，长鑫科技有望在 DRAM 行业站稳脚跟。"长鑫科技的行业认可度比较高，其创始团队曾任职半导体巨头奇梦达，拥有成熟芯片设计积淀。早在 DDR4 时代，长鑫科技就已经对三星电子、SK 海力士、美光科技三家海外巨头形成实质性竞争压力。自长鑫实现 DDR4 大规模出货后，海外三巨头纷纷缩减、退出 DDR4 相关产能。即便长鑫科技不转向 HBM，企业也能存续。" 他对每经记者说。
据 Semianalysis 预测，到 2026 年底，长鑫的晶圆月产能将接近美光科技，达到 35 万片。"DRAM 行业规模效应极强，若长鑫科技的月产能达到这一水平，就相当于 5 座 7 万片产能的大厂，即便规模红利会边际递减，但依旧能收获成本优势，例如和设备厂商谈判压价。"Jim Handy 说。
Jim Handy 还告诉每经记者，长鑫科技的市场占有率还具备持续的上升空间。市场研究机构 Counterpoint 数据显示，今年一季度，三星电子、SK 海力士、美光科技和长鑫科技在 DRAM 市场中的份额分别为 38%、29%、22%、8%。而在去年一季度，长鑫科技的份额还只有 3%。
长鑫科技预计，2026 年上半年营业收入将达到 1100 亿至 1200 亿元，同比增长 612.53% 至 677.31%；归母净利润预计为 500 亿至 570 亿元，同比增长超过 22 倍。
韩媒 7 月 28 日报道称，若长鑫科技持续提升技术水平和产能，将动摇目前由三星电子、SK 海力士和美光科技主导的全球存储芯片三强格局。
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每日经济新闻
