财联社 7 月 11 日讯（编辑 刘蕊）据 DigiTimes 周五发布的一份报告，行业消息人士指出，受到人工智能需求激增与产能结构性瓶颈的双重推动，高带宽内存（HBM）的价格到 2027 年有望翻倍。
行业消息人士称，下一代 HBM4 的价格可能从 2026 年下半年约 2 美元 / 千兆比特飙升至 4 至 5 美元甚至更高。
这一方面是因为 HBM4 制造过程的极端复杂性：其生产周期长达四到六个月，且初始良率显著偏低；另一方面，HBM 的生产耗用的晶圆容量约为标准 DDR5 DRAM 的三倍，严重限制了制造商在现有设施中可生产的总内存量。
进一步加剧供应紧张局面的是，当前全球 HBM 三大主要生产商——三星电子、SK 海力士和美光科技正通过与一级 AI 客户签订为期三到五年的长期协议，锁定全球内存供应。
据 DigiTimes 预测，到 2027 年，全球 DRAM 总产能中约有一半将完全无法提供给小型买家。
尽管英伟达即将推出的 Rubin 架构正在加速 HBM4 的开发进程，但内存厂商也正面临一个意外的经济权衡：标准服务器内存市场表现强劲。
今年，部分供应商的 DDR5 利润率已突破 80%，迫使芯片制造商不得不要求更高的 HBM 定价，以证明从传统 DRAM 生产线转移的合理性。
在华尔街，这种结构性的紧缩供应叙事预计将继续成为关键存储芯片股票的强大催化剂。
本周五，SK 海力士通过美国存托凭证（ADR）在美股市场首次亮相，创下历史纪录的 265 亿美元发行规模，其价格较首尔本地股价存在显著溢价，显示出人工智能存储领域巨量交易的强劲延续态势。
尽管近期市场担忧科技巨头可能削减基础设施支出，但据供应链渠道消息称，到 2027 年，人工智能硬件仍面临根本性的供应不足。
因此，预计到 2026 年底，在合同谈判中芯片供应商将保持绝对的价格优势，使尚未签约的消费电子制造商面临严重的供应短缺风险。
（财联社 刘蕊）
