IT 之家 7 月 7 日消息，据科技媒体 Wccftech 今天报道，英特尔现已公布一项 XBM（eXtended Bandwidth Memory，超高带宽内存）的专利技术。据悉，这项技术定位 HBM 4 替代方案，有望提供更高带宽。
英特尔曾在过去研发 HMC（混合内存立方体）、MCDRAM（多通道动态随机访问内存）等技术，但由于种种原因未能实现商业化。
如今随着 XBM 出世，英特尔正在重新调整其 DRAM 策略。结合此前公布的 ZAM（Z 角内存）技术，我们不难看出英特尔试图重返 DRAM 市场。
同时，XBM 将采用 Cross-Batch Memory（跨批次内存） 方案，其封装尺寸将与 HBM 4 保持一致，每颗芯片的容量可在 0.5GB-5GB 之间，运行速度最高可达 32 GT/s。
