三星电子晶圆代工业务在经历长达数年的亏损后，终于迎来转折信号。
据韩国半导体行业消息，三星电子晶圆代工事业部今年 6 月实现单月盈利，这是该部门自 2023 年以来首次录得月度盈利。HBM（高带宽内存）基础芯片（Base Die）出货量的持续扩大，叠加 4nm 工艺良率的显著改善，共同推动了这一转变。
上述改善势头令三星内部对三季度实现季度盈利转正持乐观态度。与此同时，公司在人工智能芯片代工领域的客户布局也在加速推进——继特斯拉 AI6 芯片订单之后，Groq 芯片生产以及与 Meta、Anthropic 的潜在合作相继浮出水面，市场对三星晶圆代工业务复苏的预期进一步升温。
月度转盈，三季度有望季度性扭亏
三星电子晶圆代工事业部今年 6 月实现单月盈利，为 2023 年以来首次。该部门此前长期承压——先进工艺良率不佳、大客户流失以及产能利用率偏低等问题交织叠加，导致亏损持续扩大。三星官方不单独披露晶圆代工事业部的财务数据，但市场估算，晶圆代工与系统 LSI 合并的营业亏损，2023 年约为 2.5 万亿韩元，2024 年扩大至 5.3 万亿韩元，2025 年进一步攀升至约 6 万亿韩元。
就二季度整体而言，4 月和 5 月仍处于亏损状态，因此单季扭亏尚难确认。但鉴于 6 月的盈利并非一次性结算所致，而是来自产能利用率提升和工艺良率改善的持续性贡献，三星内部判断，三季度实现季度盈利转正的可能性较高。
HBM4 拉动 4nm 利用率，良率改善降低单位成本
此次月度扭亏的核心驱动力，在于 HBM Base Die 出货量的扩大与 4nm 工艺良率的双重改善。
HBM Base Die 是位于 DRAM 堆叠底部、负责与 GPU 进行信号交互的逻辑芯片，由三星自有晶圆代工产线生产。HBM 产量的增加，会同步拉动 Base Die 投片量，进而提升先进工艺产线的利用率。尤其是 HBM4 的 Base Die 采用 4nm 工艺生产，形成了对该产线的持续性补单效应。三星电子已于今年 2 月率先全球实现 HBM4 量产及商业出货，5 月又向全球客户交付了 HBM4E 12 层堆叠样品。
晶圆代工业务具有折旧、人工及维护费用等固定成本占比高的特点，重复性出货量的增加有助于提升设备利用率、降低单位成本。与此同时，据行业人士估计，三星 4nm 工艺良率目前已提升至约 80%。良率的提高意味着相同投片量下可出货芯片数量增加，报废与返工成本下降。4 月至 5 月，产能扩张初期成本与工艺稳定化压力尚未消散；进入 6 月，Base Die 物量增长与 4nm 良率改善效果同步显现，推动单月损益转正。
大客户回流，AI 芯片供应链分散化带来新机遇
月度盈利的回归，与晶圆代工订单结构的改善同步发生。三星电子晶圆代工去年赢得特斯拉 AI6 芯片订单，近期又承接了由英伟达公布的基于 Groq 架构的 AI 推理芯片生产业务。此外，Meta 与 Anthropic 也被业内提及为三星潜在的自研 AI 芯片代工合作方，市场对三星晶圆代工复苏的预期进一步升温。
随着 AI 训练与推理需求同步高速增长，台积电先进工艺及先进封装产能已高度饱和。有意降低英伟达依赖度的大型科技公司在扩大自研 AI 芯片布局的同时，也开始寻求突破台积电单一供应商依赖格局。在这一背景下，三星凭借 2nm 先进工艺布局、HBM Base Die 产能以及美国本土生产基地建设，正逐步成为备受关注的替代供应链选项。
尽管基本面出现改善信号，三星晶圆代工与台积电之间的差距仍然悬殊。据市场研究机构集邦科技（TrendForce）数据，2025 年一季度全球晶圆代工市场份额中，台积电以 72.3% 高居首位，三星以 6.5% 位列第二。与上年同期相比，台积电份额由 67.6% 上升 4.7 个百分点，三星则由 7.7% 下滑 1.2 个百分点至 6.5%，两者之间的差距由 59.9 个百分点进一步扩大至 65.8 个百分点。
