【CNMO 科技消息】随着 AI 计算需求快速增长，存储系统瓶颈正进一步显现。近日，闪迪（SanDisk）披露的一项专利显示，其正探索将 NAND 闪存与计算单元堆叠在单芯片封装中的方案，以缓解当前 HBM 供应紧张、容量受限及延迟等问题。
为此，闪迪此前提出 HBF 方案，即高带宽闪存架构。该方案参考 HBM 的层级设计思路，通过多个 NAND 层垂直堆叠，并使用 TSV 硅通孔进行互连，形成单一闪存堆栈。按照其规划，HBF 容量可扩展至 4TB，明显高于当前 HBM 水平。
在最新专利中，闪迪进一步提出 3D 堆叠方案。专利编号为 US 12,430,274 B2，其核心思路是在主计算芯片下方集成基于 CBA 技术的 NAND 存储单元。该计算芯片可以是 GPU 或 AI 处理器，同时在同一中介层上继续配置 HBM 堆栈。两类存储在系统中分工不同：HBM 负责需要即时响应的数据处理，NAND 则承担读写操作和更大规模数据集的存储任务。
