【CNMO 科技消息】随着端侧 AI 对算力和数据吞吐能力的需求不断提升，智能手机内存技术正成为行业关注的新焦点。近日有消息称，一种名为 LLW（低延迟宽 DRAM）的新型内存方案正在受到关注，其设计思路借鉴了高带宽内存（HBM）的集成方式，目标是在智能手机有限空间内提升 AI 运算效率。
据了解，由于 HBM 对封装和散热要求较高，目前很难直接应用于智能手机产品。因此，LLW 被视为一种兼顾性能与落地可行性的替代方案。虽然它并非严格意义上的 HBM，但通过更加紧密的集成设计，有望突破传统 LPDDR 内存带宽和延迟方面的限制，从而满足未来手机端侧 AI 的发展需求。
根据数码博主透露的信息，国内手机厂商短期内或难以在新一代内存技术上实现大规模商用，但相关产品有望在 2027 年下半年迎来进展。其中，小米和华为被认为是潜在的推动者之一。
从目前流出的消息来看，LLW 理论上能够在降低约 50% 功耗的同时，实现约 1.5 倍的性能提升。不过，相关数据的具体对比对象并未被明确说明，因此实际表现仍有待后续验证。
业内普遍认为，随着手机端侧 AI 模型规模不断扩大，仅依靠提升处理器性能已难以满足需求，内存系统正成为影响体验的重要环节。相比单纯升级 NPU 或存储方案，更高带宽、更低延迟的内存架构被视为未来突破方向之一。
