《科创板日报》6 月 11 日讯 随着存储工艺朝着更高阶演进，其内部材料也有望发生更迭。
据媒体报道，SK 海力士已完成 375 层 3D NAND 闪存的生产验证工作，眼下正推进产线落地。本次并未新建厂房，而是对清州 M15 工厂现有产线进行改造升级——这座工厂目前主要生产 176 层、238 层、321 层等中低层数 NAND 产品，改造后将全面切换为 375 层产品生产线，该产品计划在今年年底前正式量产。
据悉，这款 NAND 最初规划为 400 层架构，受超高层数堆叠的量产工艺限制，最终调整为 375 层。按照 SK 海力士的技术路线，未来还将持续迭代，依次推出 480 层、604 层产品。
此次迭代最大的技术亮点，在于使用钼材料替代传统钨材料制作字线。字线（Word Line） 是连接存储单元控制栅极的水平控制线，主要用于选择和操作特定行的存储单元。
随着 3D NAND 堆叠层数愈多，传统钨材质短板凸显：线路细化后钨的电阻会显著上升，拖慢信号传输速率。同时钨在制程中还需要额外铺设阻挡辅助层，逐层叠加后会挤占空间、影响芯片集成密度。
比较而言，在同等微缩尺寸下，钼的电阻更低，能够有效加快数据读写速度。且钼无需额外增设阻挡层，可直接完成填充，进一步提升芯片存储密度。不过，钼前驱体在常温下为固态，生产时必须借助专用设备进行高温加热，同时把控物料的供给量与输送速率，对设备和制程管控要求严苛。
SK 海力士在考察了泛林集团（Lam Research）和东京电子（TEL）的设备后，最终选择了后者的设备。泛林集团的设备采用单片晶圆处理方法，逐片处理晶圆；东京电子的炉式设备可一次性完成约 100 片晶圆的沉积作业，在设备采购成本、场地占用以及钼物料消耗上更具性价比。
供应链方面，液化空气集团、英特格和默克公司将向 SK 海力士供应钼材料。在韩国企业中，SK Specialty 也被提及为潜在供应商，双方正在商讨 SK Specialty 借用液化空气集团的供应系统来供应钼材料的方案。SK 海力士也积极推动两家公司之间的合作。
从行业层面来看，三星电子已率先落地钼材料工艺。该公司自 2024 年 4 月起量产 286 层第九代 3D NAND，就已将钼应用在金属布线环节；其规划中的第十代 400 层以上 3D NAND，也定于今年下半年推向市场，钼材料的应用范围还将持续扩大。
行业测算数据显示，三星去年钼材料采购量约 4 吨，今年预计增至 10 吨，后续需求还将逐年走高，预计 2030 年将达到 80 吨。SK 海力士从明年开始大规模导入钼工艺，初期年采购量也将达到 4 吨左右。
