纳微半导体股价盘前大幅攀升，成为 AI 基础设施投资热潮中的最新受益者。公司宣布与英伟达 MGX 生态系统展开合作，共同推进 800 VDC 人工智能基础设施建设，消息提振市场情绪。
公司于 5 月 29 日参加了英伟达在中国台北南港展览中心举办的合作伙伴典礼，并正在 COMPUTEX 2026 展会上展示其 800 V 至 6 V 直流 - 直流电源分配板（PDB）产品。该产品专为 AI 数据中心 800 VDC 机架架构设计，旨在提升系统效率与功率密度。
纳微半导体首席执行官 Chris Allexandre 表示，随着 AI 工作负载持续扩展，电力传输已成为构建下一代吉瓦级 AI 工厂最关键的挑战之一。
消息公布后，纳微半导体股价盘前涨幅超过 22%。该股过去一年已累计上涨 335%，年初至今涨幅达 262%，市值约为 62.1 亿美元。
纳微半导体此次展示的 800 V 至 6 V 电源分配板是其参与英伟达 MGX 生态系统的核心产品。
该产品的关键创新在于，直接消除了计算服务器托盘内传统的 48 V 中间总线转换器（IBC）环节，从而最大化系统效率、可靠性，并节省宝贵的物理空间。
从技术参数来看，该电源分配板搭载 16 颗 GaNFast 场效应管，额定电压 650 V、导通电阻 11 毫欧，采用最新 DFN8 × 8 双面散热封装，目标峰值效率达 97.5%，工作开关频率为 1 MHz，功率密度高达 2100 W/in 。
此外，该板厚度比手机薄约 20%，超薄外形允许其与 GPU 板进行极近距离集成，从而最大化瞬态性能并提升配电效率。
宽禁带半导体组合：覆盖从电网到 GPU 的全链路供电
纳微半导体在此次合作中展示的不仅是单一产品，而是其覆盖 AI 工厂全链路供电需求的宽禁带（WBG）半导体技术组合。
在碳化硅（SiC）方向，公司的 GeneSiC 解决方案支持从电网到 AI 计算机架的高效电力传输，涵盖采用 2300 V 和 3300 V SiC 功率模块的固态变压器，以及基于第五代技术 1200 V SiC MOSFET 的高功率三相电源供应单元。
在氮化镓（GaN）方向，GaNFast 技术凭借 MHz 频率运行能力、更高功率密度和更快瞬态响应，支持从机架级直接向 GPU 高效传输电力。公司目前已拥有逾 300 项已授权或待审专利。
股价强势背后：营收超预期，但估值争议犹存
纳微半导体近期股价的强劲表现，部分得益于基本面的边际改善。
公司此前公布的 2026 财年第一季度营收为 860 万美元，超出市场预期的 818 万美元。然而，每股亏损为 0.15 美元，明显差于预期的亏损 0.05 美元。
与此同时，公司近期完成了一笔规模 1.22 亿美元的按市价发行股票融资，与 Craig-Hallum Capital Group LLC 及瑞银证券签署销售协议，最高可发行 1.25 亿美元 A 类普通股，所募资金料将用于支持公司在高功率市场及 AI 基础设施领域的战略布局。
值得注意的是，据分析，在股价年内已大幅攀升的背景下，该股目前相对其公允价值估算存在高估。
