《科创板日报》6 月 2 日讯 在今日举行的 Computex 2026 电脑展上，三星电子首次展示了第八代高带宽存储芯片 HBM5，并首次公开推出了 HPB（Heat Pass Block，导热块）散热方案。
据《朝鲜日报》等韩媒报道，三星电子计划使用其自主研发的 2nm 工艺制造的芯片生产 HBM5，预计将在 2028 年左右实现量产。而 HPB 将是大规模应用于其中的核心热管理技术，
具体而言，HPB 是一种集成在芯片封装内的金属导热结构，通常由铜基材料制成，其导热性能比基板、DAF 或 EMC 等聚合物基材料高出约 500 至 1000 倍。
" 通过增加一个类似烟囱结构的独立传热路径，我们降低了芯片运行温度，提高了运行稳定性，" 三星电子首席技术官宋载赫表示：" 预计未来它将在高带宽、高密度人工智能环境下，对提升下一代 HBM 的性能和系统效率发挥关键作用。"
宋载赫声称，HPB 技术已在 HBM4E 芯片中得到应用和验证，其可靠性和稳定性均已得到充分验证。
值得一提的是，作为技术验证的必要环节，此前三星电子已在 Exynos 2600 芯片中引入 HPB 技术，可使该处理器的散热性能相比上代提升 30%，意味着该散热技术拥有进入移动处理器市场的潜力。
而眼下，AI 基础设施散热需求正盛，多种热管理技术在存储领域相继涌现。
5 月 26 日，SK 海力士推出 iHBM 解决方案，通过在 HBM 封装内集成一体化冷却元件 "ICE"，以降低产品运行时的发热量。该技术同样将应用于 HBM5 等下一代产品。SK 海力士表示：" 该技术与客户现有 SiP 系统级封装环境具备高度设计兼容性，客户无需进行大规模设计改动，即可直接部署。"
三星电子和 SK 海力士，为何纷纷革新 HBM 散热技术？
机构指出，HBM5 架构虽然能够以更高的速度处理更大的数据量，但也会导致内部发热量急剧增加。特别是负责 HBM 与外部 GPU 之间超高速数据传输的 D2D PHY（芯片间物理层），被认为是芯片内部的主要热源之一。而 HPB 和 iHBM 的特点是在 D2D PHY 区域内具有独立的散热路径，从而改善热传导和散热，降低热阻并增强系统稳定性。
在散热技术集体升级的预期下，HBM 或仍维持供不应求局面。根据 TrendForce 集邦咨询最新研究指出，三大原厂的 HBM 年度议价机制，导致 HBM 合约价无法及时反映市场的季度涨价趋势。随着时序进入 2Q26，买卖双方正在对 2027 年的主流产品 HBM4 供应进行谈判。TrendForce 集邦咨询认为，基于 DRAM 供不应求市况、新旧世代 HBM 的高制造难度及高成本，三大原厂将于 2027 年大幅调高 HBM 的报价。
