【CNMO 科技新闻】5 月 29 日，三星电子宣布已开始向全球主要客户交付业界首款 12 层 HBM4E 高带宽内存样品，此举距离该公司今年 2 月量产上一代 HBM4 仅过去三个月。
在核心性能上，HBM4E 的单引脚数据传输速率最高可达 16Gbps，相比 HBM4 提升了 20% 以上。其单堆栈带宽高达每秒 3.6TB，能大幅优化大型语言模型和下一代 AI 计算系统的处理效率。这款新一代存储产品采用了三星先进的第六代 10 纳米级（1c）DRAM 工艺，并结合了三星代工厂的 4 纳米逻辑基础裸片技术制造，确保了优异的生产稳定性。
