【CNMO 科技消息】5 月 26 日，SK 海力士公布了一项名为 iHBM 的高带宽内存散热技术，通过在 HBM 封装内部加入一体化冷却组件，降低发热并提升高负载环境下的运行稳定性。该公司表示，新方案可将热阻较现有产品降低 30% 以上。
根据介绍，iHBM 将热控制元件布置在发热最集中的 D22D PHY 区域内部，并为热量导出建立专用通道。该热控制元件被称为 ICE，即集成冷却元件，采用不导电但具备高导热性的硅材料，在封装内部形成额外的散热路径，从而改善 HBM 在高温、高负载条件下的热管理表现。
SK 海力士计划从 HBM5 等下一代产品开始导入 iHBM 技术，以满足高性能计算、AI 数据中心等超高集成度和超高带宽场景下更严格的散热需求，并提升系统整体稳定性和运营效率。
SK 海力士负责封装开发的副总裁李康旭表示，iHBM 是结合内存设计能力与先进封装技术开发的散热优化方案，目标是为 AI 应用环境下的客户需求提供更及时的支持。随着 AI 计算负载持续增长，HBM 的发热控制正成为影响性能释放和系统可靠性的关键环节，厂商也在持续推进相关封装与散热技术升级。
