（全球 TMT2026 年 5 月 25 日讯）近日，三安光电旗下湖南三安历经三年专项攻坚，成功实现低电阻碳化硅衬底技术重大突破，成为全球少数掌握该项核心技术的企业。三安光电在晶体生长、纯度控制、缺陷抑制等环节实现关键突破，碳化硅衬底平均电阻率稳定至 11m Ω· cm，较传统量产 20m Ω· cm 减半，同时层错、位错、微管、面型等指标对标量产标准，成功破解 " 低电阻与高品质 " 不可兼得的行业难题。
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1小时前
湖南三安成功实现低电阻碳化硅衬底技术重大突破
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