【CNMO 科技消息】5 月 22 日，据半导体行业消息，三星电子在 3 月底启动第八代 V-NAND（V8）量产后，已着手在中国西安工厂进行第九代 V-NAND（V9）的生产线转换工作，洁净室建设已进入准备阶段。
据悉，三星电子正加速将西安工厂转为高堆叠层数 V-NAND 生产线。在完成从 128 层 V6 向 236 层 V8 的转换投资后，该工厂已于 3 月 30 日进入 V8 的批量生产阶段。行业分析认为，V6 产品在该工厂的产能比例已基本缩减或进入收尾阶段。
为推进 NAND 技术转换，三星电子在中国的投资规模持续扩大。据上海半导体材料创新联盟（ICMIC）数据，2025 年三星电子对西安工厂的投资额预计约 3.04 亿美元（约合 4654 亿韩元），较上年增长约 67.5%。
三星电子计划在年内完成 286 层 V9 的投资，并启动量产准备工作。目前，为构建 V9 生产线而进行的洁净室工程正在筹备中，预计相关设施完工并正式启用 V9 产线的时间点将在 2027 年。届时，V8 与 V9 产线将以共存形式运营一段时间。
CNMO 科技了解到，西安工厂是三星电子全球 NAND 生产的核心基地，占其全球 NAND 总产能的约 40%。据估算，2025 年该工厂实现销售额约 8.64 万亿韩元，净利润约 1.11 万亿韩元。
