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金融界 31分钟前

长江存储申请半导体器件及其制备方法、存储系统专利 , 半导体器件包括半导体柱和栅极结构

国家知识产权局信息显示,长江存储科技有限责任公司申请一项名为 " 半导体器件及其制备方法、存储系统 " 的专利,公开号 CN121908546A,申请日期为 2024 年 10 月。

专利摘要显示,本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储系统。半导体器件包括半导体柱和栅极结构,半导体柱沿第一方向延伸,栅极结构位于半导体柱沿第一方向延伸的侧壁,栅极结构包括栅极层和阻挡层,阻挡层位于栅极层背离半导体柱的一侧。

天眼查资料显示,长江存储科技有限责任公司,成立于 2016 年,位于武汉市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本 12469608.0404 万人民币。通过天眼查大数据分析,长江存储科技有限责任公司共对外投资了 3 家企业,参与招投标项目 1434 次,财产线索方面有商标信息 1025 条,专利信息 5000 条,此外企业还拥有行政许可 1007 个。

声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为 AI 基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

本文源自:市场资讯

作者:情报员

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