作者 | 乔钰杰
编辑 | 袁斯来
硬氪获悉，高性能 SiC（碳化硅）模块厂家无锡利普思半导体有限公司（下称 " 利普思 "）近日完成亿元 PreB+ 轮融资，新投资方为扬州国金、扬州龙投资本。资金将主要用于公司在扬州布局专业化车规级 SiC（碳化硅）模块封装测试基地和市场推广。
利普思成立于 2019 年，是一家专注于第三代功率半导体 SiC 模块设计、生产与销售的硬科技企业。
功率半导体是控制电能转换的核心器件。与传统 IGBT 模块相比，SiC 模块具有更高耐压、更低损耗和更高开关频率等优势，在新能源汽车主驱、超级快充、储能、电网设备以及 AI 算力电源等高压高功率场景中具备明显效率优势。
近几年，随着上游衬底和外延产能快速扩张、成本持续下降，SiC 在中高端市场对 IGBT 的替代正在加速，SiC 功率器件年复合增长率已超过 30%。
利普思创始人兼 CEO 丁烜明介绍称，利普思的 SiC 模块在高温高压高电流的复杂场景中的应用目前已在头部电网设备公司、新能源重卡公司、头部变压器企业实现稳定量产，2026 年将进一步在上述市场加速拓展，与更多头部企业展开战略合作。
除汽车与光储充等新能源领域外，AI 数据中心被视为 SiC 应用下一阶段的重要增长点。随着算力需求激增，数据中心对供配电效率和空间利用率提出更高要求。基于 SiC 器件构建的固态变压器（SST）是实现高压直流架构的核心设备，可显著提升能效并减小体积，是未来电力架构升级主流方向之一。目前，利普思 1200V-3300V 多款 SiC 模块已在多家国内外知名客户的 SST 中获得样品测试，部分项目正处在可靠性验证阶段，预计 2027 年前后有望迎来可观放量。
在市场端，除国内市场外，海外市场也已成为利普思的重要增长引擎。公司 2020 年在日本设立全资子公司作为海外研发中心，拥有多位日本籍资深技术专家，同时在欧洲设立销售服务中心，以强化本地化方案解决能力。目前利普思产品已出口超过 20 个国家，2025 年，公司海外销售占比已接近一半。
成立之初，利普思便将技术创新作为公司核心战略。公司在高可靠性封装材料与封装技术上拥有多项专利，并建立了较强的 SiC 模块自主正向设计能力和体系。公司是国内最早采用自主高导热环氧灌封 SiC 模块的厂商，同时与供应商联合定制高散热绝缘基板材料和工艺，并在封装结构上引入 ArcBonding 等先进芯片键合技术、内部叠层母排设计等创新技术，以降低模块的杂散电感、提升模块的功率密度与散热能力。应用层面，公司掌握 SiC 模组的高度集成能力，擅长于高压高温高电流等复杂场景中的应用。
利普思在无锡建有先进的可靠性实验室、FA 实验室和应用测试实验室，具备完善的仿真、验证与检测能力，并通过了汽车 IATF16949 质量体系认证。目前，公司产品覆盖 IGBT 和 SiC 两大系列，应用场景包括新能源汽车主驱、电动重卡、储能、电网高压 SVG、超充及工业电源等。无锡工厂于 2022 年投产，年产能约 70 万只。
本轮融资后，资金将主要用于公司在扬州布局多条车规级 SiC 模块自动化封装测试产线。该项目总投资达 10 亿元，规划年产能 300 万只模块，一期产线预计 2026 年竣工、2027 年 3 月正式投产。
丁烜明介绍称，相比现有产线，扬州工厂将重点围绕 " 专业化车规级 " 标准进行升级：一是按照高端车规标准构建质量与可靠性体系；二是建设与 IGBT 产线完全分离的专用 SiC 产线；三是实现全自动化流水线生产；四是支持新一代嵌入式封装结构及客户定制化开发。预计 2027 年，扬州工厂将具备交付超过 200 万只模块的能力，助力利普思加速布局电网和 AI 算力基建。
