《科创板日报》2 月 2 日讯 遭受存储涨价潮重压的下游厂商们，或许能稍稍 " 喘口气 " 了。
据美银最新报告显示，在连涨多个月之后，上周 DRAM 现货价格走弱，这也是该价格自 2025 年 9 月以来首次出现回调。
随着 DRAM 现货价持续攀升，已有多家 OEM 反映，低阶 PC、智能手机与平板中的 DRAM 成本占比已高于合理水准。一般而言，DRAM 成本占比在终端产品售价中的比例低于一成，但按照目前现货价格计算，部分产品已难以吸收相关成本。
不过，现货价与合约价情况不同，一线 OEM 与普通 OEM 的成本也不尽相同。
美银指出，DRAM 现货与合约价格仍存在明显落差。一线 OEM 拿到的 DRAM 合约价格仍大致在每 GB 10~20 美元区间，远低于现货市场水准，现货价格后续可能朝合约价格回归。
部分模组厂也表示，若 DDR4 或 DDR5 价格回落至 20~30 美元区间，不论容量或规格，市场仍具备明显追加采购动能。
美银指出，目前不好将这次回调定义为 " 产业反转 " 或是 " 硬着陆 " 的早期信号，但短期价格波动已开始反映终端成本。
回调是短暂的，从机构预期来看，涨价依旧是存储产业的 " 主旋律 "。
TrendForce 今日发布的存储产业调查显示，2026 年第一季 AI 与数据中心需求持续加剧全球存储器供需失衡，原厂议价能力有增无减，全面上修第一季 DRAM、NAND Flash 各产品价格环比增幅，预估整体 Conventional DRAM 合约价将从一月初公布的 55%~60% 环比增幅，改为上涨 90%~95%，NAND Flash 合约价则从环比增幅 33%~38% 上调至 55%~60%，并且不排除仍有进一步上调空间。
此外，美银已上调存储产业中期展望，将 2026 年 DRAM 与 NAND 平均销售价格（ASP）预期上调 20% 以上，并小幅提高储存位元出货量成长假设，同时上修资本支出预估，主要反映 HBM 扩产，以及晶圆厂土木工程与电力等基础建设投资增加。
美银表示，在 AI 驱动需求与 HBM 扩产支撑下，存储产业中期基本面仍偏正向，后续关键仍在于价格修正幅度与终端需求消化速度。其仍看好存储产业具备多年成长周期，但预期 2026 年第二季至下半年 ASP 将趋于稳定，2027 年可能出现低于 10% 的价格回调。
