01 等等党永远的痛
当图吧攒机老哥在几个月前发帖吐槽内存条和固态硬盘越来越贵时，或许很少有人会想到，一场席卷整个消费电子行业的内存涨价风暴，已经悄然开启。
如今打开电商平台，任意挑选一款 16GB DDR5 内存条，已经很难找到 800 元以下的产品；一块最基础的 M.2 接口固态硬盘，每 TB 价格将近 800 块钱，而就在今年年初，同样规格的产品只需要不到一半价钱就能拿下。
随着这轮内存涨价压力继续传递，接下来包括手机、平板、PC 等一系列消费电子产品售价都会受到不同程度的影响，特别是大部分中低端千元机，相较于旗舰手机这部分机型由于内存原本占整机 bom 成本比例较高，受到的影响也最明显。
雷军早在 10 月底回应红米 K90 首销定价时就已经无奈表示" 最近内存涨价实在太多了 "，而卢伟冰则在上周小米三季度业绩会上表示，尽管小米已经与合作伙伴签订了 2026 年全年供应协议，但不排除未来可能通过涨价和产品结构升级来平滑成本压力。
此番场景不禁让人会回想起几年前挖矿狂热时那批被炒至天价的游戏显卡，稍微有点不同的是，相较于矿场散户囤货居奇，这次出手大肆扫货的金主是资金流更加充沛且稳定的各大 AI 巨头。
原因也是显而易见的。
随着全球 AI 产业竞争进入白热化阶段，当前各大 AI 大模型不仅在算力训练上有着更庞大的数据吞吐需求，更多的 AI 落地应用场景以及全球 AI 数据中心数量的高速增长，也在指向更多的高性能 AI 服务器。
巴克莱研究指出，由 OpenAI、亚马逊、Meta、微软、xAI 等超大规模厂商牵头规划或建设的数据中心项目，预计总投资额将超过 2.5 万亿美元，当中 AI 服务器的成本占比高达 60%。
（图示：OpenAI 的星际之门 AI 数据中心平台）
按照当前的算力要求，一台 AI 服务器的 DRAM 内存需求是普通服务器的 8 倍，而 NAND 闪存需求则达到 3 倍，要满足这些需求，除了大量高性能闪存和 DDR5 内存供应外，更离不开专门为 AI 服务器打造的 HBM（高带宽内存）。
所谓 HBM，即 High Bandwidth Memory 是由三星、SK 海力士等上游工厂推出的基于 3D 堆叠技术的高效能内存，与传统的内存架构相比，HBM 具有更高的引脚密度和更低的延迟，能够在有限的空间内提供更大的内存容量和更快的数据访问速度。
（图示：SK 海力士展示其第五代 HBM3E 封装技术）
更高的带宽，更快的传输速度以及更低的功耗，让 HBM 内存成为了当下所有 AI 巨头打造 AI 数据中心、突破算力瓶颈的关键所在。
（图示：HBN 深度参与到过去十年间 AI 爆发进程）
对于上游代工企业来说，尽管 HBM 内存的利润水平高达 50%-70%，但因其产能消耗是普通 DRAM 内存的 3 倍，过度生产 HBM 将会挤压其他 DRAM 产品的产能，此前并非上游业务重心，而如今为了满足 AI 巨头们激增的采购需求，三星、SK 海力士和美光自今年 4 月份便已悄然将更多产能转向服务器规格的 DDR5 和 HBM，并进一步降低 DDR4 产能。
来自 AI 大户对高性能 DRAM 的库存消耗叠加产能下降，自今年年中以来整个内存产业供应结构在快速改变，下游市场预期供应不断减少，引发了大批渠道商、下游企业的恐慌性囤货潮。
虽说消费市场感知不明显，但今年前三季度，整个内存行业，包括内存条、固态硬盘等产品都是一个暗涨的状态，根据 TrendForce 在 7 月统计，今年二季度整个内存行业的合约价涨幅已经在 5%-10%，并且预测三季度这个数字将会进一步增至 10%-15%。
所有这些供应链上的异变在这两个月终于传递到零售端，最终引发了这波就连普通消费者也能感知的" 内存涨幅堪比黄金 "的涨价盛况，然而这其实仅仅是个开始。
随着 AI 巨头仍未见底的采购需求，有渠道调研显示，今年四季度服务器 DRAM 合约报价已经飙升近 70%，NAND 合约价格上涨 20-30%；摩根士丹利指出，目前 DRAM 价格已经突破历史高位，正在开启一轮前所未见的 " 超级周期 "，行业普遍预测这并非短期的炒作或产能缺口，投研机构伯恩斯坦判断这种供应紧张局面至少将持续至 2026 年上半年，甚至可能蔓延至 2027 年。
（图示：Counterpoint 预测来年内存价格涨幅走势）
AI 高速发展这几年将会如何深刻改变我们的生活暂时不好说，但这下是真的在深刻且平等地掏空每一位等等党的钱包。
02 韩国人的产业狂欢
这轮久违的内存涨价潮，帮助三星、SK 海力士等上游工厂时隔多年后重拾了产品定价权，满足了一波 " 厂长翻身做主人 " 的快乐，韩国半导体产业开启 " 猎杀时刻 "。
一般来说，半导体行业具有明显的周期性，上游产能在根据下游市场需求调整产能时往往具有滞后性，一旦供不应求内存价格升高，上游便开始扩大产能，随后将会导致产品供过于求并引发价格回落，如此循环往复带动价格波动。
然而，近年来随着下游手机、PC 市场增长陷入停滞，内存行业产能长期处于供过于求的状态，库存增加导致内存价格持续低迷，空有产能不赚钱的问题一直困扰着上游工厂。
早在 2018 年，为了稳定内存价格，三星、SK 海力士、美光等上游企业就开始尝试主动减产控量的方法，试图倒逼价格回暖，其中美光明确表示要将 2019 年的运营预算下调 12.5 亿美元，以减少 DRAM 内存和 NAND 闪存产能，三星、SK 海力士那段时间频繁的内存厂房失火，则被大伙调侃成上游曲线控价手段。
（图示：前些年三星内存工厂频繁停电、失火事故成为新闻热话）
上游企业控价手段了得，但仍然抵不过行业供过于求的发展趋势，到了去年年底，在各大数码论坛讨论帖子中，内存条和固态硬盘的装机成本都快被忽略不计，随便攒一台入门级 PC 那都是 32G DDR5、4TB 固态硬盘起步，那时候恐怕没多少人会想到，短短几个月后，行情就会发生翻天覆地变化。
（图示：几年前知乎上有这么一个发问）
与过往手机、笔记本市场需求变化带来的正常行业周期波动截然不同，本轮内存上升周期由 AI 数据中心和云服务商主导，这些客户对价格敏感度较低同时需求旺盛，大批资金和订单涌入让上游工厂直接开绿灯调整产能结构，大量产能在短时间内被转移到 HBM 产线，成为三星、SK 海力士和美光新的业绩增长曲线，三巨头上个月甚至默契地暂停了当月 DRAM 合约报价，以此正式宣告了全球性的内存缺货潮到来。
值得一说的是，在布局 HBM 路线多年后，韩国半导体产业终于迎来了这项技术的高光时刻。
从 DRAM 市占比来看，目前三星、SK 海力士和美光的市场份额分别是 36%、34% 和 20% 左右，表面上是三分天下格局，然而细分到 HBM 领域，以三星和 SK 海力士为主导的韩国半导体企业却常年坐拥超过 90% 的市场份额，无论从技术积累还是市场表现来看，都是断层式领先。
其实从技术特点来看，HBM 并不新颖。
早在 2008 年，曾经的日本内存巨头尔必达就已经发力攻坚 3D DRAM 芯片堆叠技术，并且在次年发布了业内第一款业内首款 3D DRAM 内存，这也被被视作是 HBM 内存的前身。
同一时期，AMD 就与海力士半导体结联共同攻克内存堆叠技术；三星在 2010 年加入战团，紧随 SK 海力士开始了 HBM 内存的研发，随后就是韩国半导体巨头们漫长的你追我赶研发竞赛。
三星在 2016 年抢先 SK 海力士成功量产 HBM2，并将每个 HBM 堆栈容量提升至 8GB；2021 年 10 月，一直紧咬三星的 SK 海力士又成功量产 HBM3，重新夺回主动权；现如今两家企业第五代 HBM 产品 HBM 3E 已经投入市场，新一代 HBM4 预计将在 2026 年投产。
从研发时间跨度来看，堆叠式内存有着将近 20 年的历史，但由于生产成本高企、长期缺乏规模化的下游市场，这项领先时代的技术并没有普及开来。
尽管日本的尔必达曾在内存堆叠技术上实现突破和领先，但由于日本欠缺完整的半导体产业链，而 HBM 生产设计到涉及到制造、封装等多个芯片生产流程，远非尔必达一家公司可以包圆，为了提高良率爬坡尔必达不得不加大投资寻找台湾地区的代工、封装企业求援，让本就债台高筑的尔必达更加雪上加霜。
最终，曾经的日系王者达尔优在庞大的额债务和不景气的市场刺激下，于 2012 年宣布破产并最终卖身美光，消失在行业的长河中。
相反，三星、SK 海力士等韩国半导体企业并没有盲目深入研发或者贸然转变路线，反而是依靠持续稳定的大规模生产能力不断降低 HBM 生产成本，拉高其他公司竞争门槛的同时，默默等待着市场爆发时机。
对于以" 举国体制 + 财团突围 " 模式打造半导体产业的韩国而言，三星和 SK 海力士无论是资源整合能力，还是对本国产业链的号召力，在全球半导体市场几乎都有着独一无二的竞争力，特别是在双方多年开发 HBM 技术过程中，多家韩国上下游本土供应商加入不仅大大加快了开发进程，并从客观上分担了研发成本，最终才有了今天的制霸盛况。
可以说这轮内存行业的 " 超级周期 " 不仅是三星和 SK 海力士的胜利，更是一场韩国半导体产业的全民狂欢。
现在的问题是，韩企真的杀死比赛了吗？
03 国产替代，自成一派
当美韩巨头在集体瓜分 AI 热潮带来的内存涨价红利时，国产替代正在异军突起。
自上世纪 70 年代英特尔推出首款成熟可商用内存 C1103 以来，全球内存半导体产业在短短数十年间经历了美日韩多地的产能和技术转移，超过 40 家内存厂商一路厮杀淘汰兼并，并最终形成如今三星、SK 海力士、美光三分天下的格局。
1996 年 7 月，以西方国家为主导的 33 个国家在奥地利签署了《瓦森纳协定》，对武器和技术的出口加以限制，其中，一份针对我国的军民两用商品和技术清单，涵盖了包括先进材料、材料处理、电子器件在内的 9 大类产品，而芯片和内存类产品也在其中。协定中专门设置了一项 N-2 审批原则，即输入中国的任何技术，都要比西方国家晚至少 2 个世代。
受限于外部封锁，上世纪 90 年代我国工程师只能在实验室 " 手搓 " 几十 MB 的内存，也正因如此，在很长一段时间，国产内存都处在断代空白期。
这种憋屈的状况一直持续到 2014 年，在经过多年自主摸索半导体和集成电路产业后，一个由政府牵头引入外部资金打造的国家集成电路产业投资基金正式成立，也就是我们如今熟知的 " 国家大基金 "，重点投资集成电路芯片制造业，兼顾芯片设计、封装测试、设备和材料等领域，一期募资总额高达 1387 亿元，其中 67% 投向芯片制造领域。
在国家大基金牵头下，2016 年国产内存领域诞生了两位重量级选手，分别是总部位于武汉的长江存储以及合肥的长鑫存储。
两家企业研发分工明确，长江存储主攻 NAND 闪存技术研发，而长鑫则主要负责 DRAM 内存的量产突破。
2018 年，长江存储实现了 32 层 3D NAND 闪存量产，帮助国产 NAND 量产达成 "0 的突破 "；仅仅一年过去，依靠自研 Xtacking 架构，长江存储成功将堆叠层数提高到 64 层；到了 2020 年，长江存储已经拥有两款 128 层的 3D NAND 闪存产品，成为内存行业仅次于前三巨头的第二梯队选手。
由于 Xtacking 架构的制造原理是在两片独立的晶圆上分别加工外围电路和存储单元，然后在芯片封装阶段再将两者合二为一，能够在晶体管密度较低的情况下依然保持闪存芯片性能，这也就意味着，即使是在先进制程光刻机被封锁的情况下，长江存储也能通过现有的成熟制程继续推进 3D NAND 技术研发。
另一方面，长鑫存储也在 2019 年实现了第一代 19nm 工艺的 DDR4 DRAM 内存量产，成为中国大陆第一家真正意义上的自研、自建、自量产的 DRAM 厂商。在这之后，长鑫存储一路高歌，逐步实现了 DDR4、LPDDR4X、LPDDR5、DDR5 的量产突破，并逐步向 10nm 级工艺推进。
两大明星企业背后，国产内存产业链也已经形成规模，当中包括主攻服务器内存缓冲芯片的澜起科技，负责内存控制器模组的江波龙、东芯半导体，还有拥有全球领先封测工艺的长电科技、通富微电等一大批 " 隐形冠军 "。
当下，国际市场内存产业投资重心逐渐转变，正从单纯扩充产能，转向制程技术升级、高层数堆栈、混合键合以及 HBM 等高附加价值产品，从这个角度来看初登国际牌桌的国产内存产业在技术和规模上，与一线巨头相比或许仍有差距。
不过回头再看，在不到 10 年时间内，从长江存储的差异化技术路线发展，到长鑫存储的产能追赶，再到一批上下游企业的国产渗透，国产内存产业不仅填补了过去漫长的空白，还顺势打造了一条完整的国产内存替代产业链。
按照这个发展趋势，离三星、SK 海力士和美光 " 杀死比赛 " 还远着，一个属于中国内存产业的崛起与突围故事才刚刚开始。
