芯片获英伟达认可 三星股价创新高
出处：北京商报 作者：北京商报综合报道 网编：武杉 2025-09-23
周一，韩国科技巨头三星电子股价大幅上涨 5%。消息面上，该公司的 12 层 HBM3E 芯片产品终于通过英伟达认证测试，这意味着这家芯片巨头在全球人工智能芯片赛道上取得了重要突破。
当天，三星股价早间一度上涨 5% 至 83400 韩元，创下过去一年以来新高。在三星大涨的带动下，韩国综合股价指数上午上涨 0.8%。
这背后的关键推动力是三星高带宽内存（HBM）芯片的重要进展：三星在多次尝试失败后，终于通过了英伟达对其第五代 12 层 HBM3E 产品的认证测试——这对于这家芯片巨头来说是一大重要里程碑。
韩国媒体报道称，三星正在准备向英伟达供应其 12 层 HBM3E 存储芯片，初期产量和供应量将有限。此前，三星已经向 AMD 和博通公司供应了 HBM3E 产品，但始终未能通过英伟达的认证测试。据称，英伟达要求供应商实现超过每秒 10 千兆位元的 HBM 数据传输速度，远高于目前行业标准的 8Gbps。
此前，三星的竞争对手、存储芯片公司 SK 海力士已经跑在了三星前方，开始大规模量产并向英伟达供应 HBM 芯片，美光科技公司也紧随其后。三星将成为英伟达 HBM 芯片的第三家供应商。
不过目前来看，SK 海力士仍然跑在队伍最前方。上周，SK 海力士表示，该公司已完成了 HBM4 芯片的开发，并推动其股价创下历史新高。周一，SK 海力士的股价则呈横盘走势。而美光科技美股上周五下跌 3.5%。
富国银行分析师 Andrew Rocha 指出，三星芯片的进展可能会对 HBM 的市场定价产生负面影响，" 特别是如果三星以折让价格出售其产品以获取市场份额的话 "。
Rocha 补充说，随着美光股价现已接近 170 美元，目前市场对该公司即将发布的财报预期很高。
三星电子的归位，也意味着 HBM4 的大战全面升温。公司此前曾表示，正在与英伟达、博通以及谷歌等主要 AI 芯片厂商就 HBM4 进行洽谈，最早可以在 2026 年上半年开始大规模出货。
同一天，三星大幅上调内存和闪存产品价格，DRAM 产品涨幅高达 30%，NAND 闪存价格上涨 5% — 10%，原因是供应紧张和云端企业需求激增。美光和闪迪等竞争对手同时宣布类似涨价措施，其中美光涨幅达 20% — 30% 并暂停接受新订单。
据韩国媒体报道，三星将 LPDDR4X、LPDDR5 和 LPDDR5X 内存产品价格上调 30%，eMMC 和 UFC 等 NAND 闪存产品价格上涨 5% — 10%。供应紧张主要源于老产品减产和大型云服务商需求增长。
此轮涨价反映出内存行业正经历结构性转变。厂商将重心转向 AIPC 和下一代智能手机等新兴市场，导致传统产品供应收缩。摩根士丹利预计，随着 HBM 市场竞争加剧，传统 DRAM 和 NAND 产品有望在 2026 年迎来更可持续增长。
三星并非独自行动。美光已通知客户价格将上涨 20% — 30%，同时暂停接受新订单。闪迪宣布 NAND 闪存产品涨价 10%。这表明整个内存行业正面临供需失衡压力。
供应紧张的根本原因在于产业重心转移。随着 AIPC 和新一代智能手机采用 LPDDR5/X 标准，厂商减少了老产品生产，但新标准产能尚未跟上需求增长。DDR4 内存价格已暴涨 50%，使 DDR5 成为更具成本效益的 PC 解决方案。
内存价格上涨将直接影响消费电子和企业采购成本。三星作为全球最大内存厂商之一，其定价策略通常引领行业走向，市场担忧供应紧张可能持续至 2025 年。
需求激增成为推高价格的关键因素。各大 DRAM 厂商纷纷转向 AI 赛道，优先为英伟达、AMD 等 AI 加速器供应最新产品。这种优先级调整导致消费级 DRAM 供应更加紧张。
三星目前占据 32.7% 的 DRAM 市场份额和 32.9% 的 NAND 市场份额。公司正努力获得英伟达支持以推广其 HBM 产品，同时加速 LPDDR6DRAM 开发，首批设计预计今年晚些时候推出。
此前摩根士丹利在研报中表示，HBM" 溢价神话 " 面临挑战，2026 年将出现激烈竞争和定价压力。在美联储降息预期和宏观环境改善背景下，市场资金正从 AI 驱动的 HBM 转向传统存储板块，大摩特别看好传统 DRAM 的投资价值。
DRAM 和 NAND 的供需结构趋紧，似乎增强了涨价的必要性。花旗集团预测，明年 DRAM 和 NAND 闪存的供应将分别短缺 1.8% 和 4%。摩根士丹利也预测，明年 NAND 的供应短缺将高达 8%。
北京商报综合报道
