大摩最新预警全球内存市场重大转变即将到来：HBM ( 高带宽内存 ) 的 " 溢价神话 " 正面临挑战，而传统存储产品面临周期性修复机遇。
8 月 14 日，据追风交易台消息，摩根士丹利在最新研报中称，随着 HBM 市场竞争加剧和定价压力显现，传统 DRAM 和 NAND 产品有望在 2026 年迎来更可持续的增长。
该行指出，HBM 定价环境正快速变化，2026 年将出现重大份额转移和竞争加剧，但短期内风险看似已得到控制，云服务资本开支数据向好以及关税缓解预期，为 HBM 收益回归正常和可持续水平创造条件。
在宏观环境改善的背景下，特别是美国 CPI 数据温和推高降息预期，市场资金正从 AI 驱动的内存股转向对经济敏感的传统内存板块。大摩预计，如果美联储降息、经济增长预期改善，偏好传统商品内存而非 HBM，特别看好传统 DRAM。
定价压力显现。大摩渠道调研显示，SK 海力士与英伟达的 HBM3E 12hi 合约定价谈判中，价格区间仍在每立方 440 美元左右 ( 1.69 美元 /Gb ) ，但谈判仍在进行中尚未最终确定。
更值得关注的是 HBM4 的定价动态。大摩渠道调研显示，HBM4 定价已敲定在 590-600 美元区间 ( 2.3-2.34 美元 /Gb ) ，但大摩认为这不太可能是全年承诺合同。大摩强调：
关键在于，如果三星通过 HBM4 资格认证，定价将面临进一步折扣压力，季度谈判模式可能成为常态。
市场份额重新洗牌。大摩认为，最重要的市场变化是份额重新分配，预计 SK 海力士在英伟达市场的份额将从 2025 年的 85-90% 下降至 2026 年的 50% 以上，主要源于三星和美光日益激烈的竞争。
大摩指出，三星的追赶步伐超出预期。据供应链调研，三星已向主要客户发送 HBM4 早期样品，预计 8 月底前向英伟达提交最终产品。其 1c 制程工艺爬坡顺利，良率显著改善，为打破 SK 海力士垄断创造了条件。
传统存储：" 周期归来 " 逻辑渐显
DRAM（动态随机存储）市场短期面临定价压力。在传统 DRAM 市场，摩根士丹利观察到第三季度合约定价涨幅有所收窄。DDR5 主流产品方面，服务器客户接受了 2-3% 的季度环比涨幅，而部分 PC 客户为建立库存愿意接受更高定价。
大摩还注意到，一些客户对生产商第三季度 DDR5 合约 5-10% 的涨价要求表示抵制，近期交易多在中低个位数水平。这表明传统 DRAM 市场的定价能力正在减弱，但周期性底部可能正在形成。
NAND（闪存）市场呈现明显分化特征。在 NAND 市场，大摩表示，3 季度合约定价以环比上涨 3-5% 敲定，低于此前市场预期的 5-10% 涨幅。PC 客户面临 5-10% 涨价，智能手机 UFS/eMMC（嵌入式存储技术）基本持平，eSSD（企业级固态硬盘）需求环比上升 3-5%。
摩根士丹利预计，企业级 SSD（固态硬盘）定价在 2025 年第四季度将上涨 0-5%。QLC NAND（闪存的一种类型）替代 HDD（机械硬盘）的进程可能在 2026 年下半年加速，Meta 正引领采用更多企业级 SSD 的进展。随着 HDD 交货周期延长至约一年，许多服务器客户正寻求近线 QLC 企业级 SSD 解决方案。
摩根士丹利在报告中表示，基于定价前景考虑，更偏好商品内存而非 HBM 产品，特别是传统 DRAM。
值得注意的是，大摩强调宏观因素对内存股的重要影响。美国 CPI 数据向好推高美联储降息预期，如果经济增长预期转好、利率确实下降，那么反向交易逻辑开始显现，市场可能轮动至被严重低估的传统商品内存股。
