国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（广东）有限公司申请一项名为 " 发光二极管芯片及其制备方法 " 的专利，公开号 CN121985640A，申请日期为 2025 年 12 月。
专利摘要显示，本公开提供了一种发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。发光二极管芯片包括依次叠设的 N 型半导体层、有源层和 P 型半导体层；P 型半导体层包括叠设在一起的非掺杂子层和掺杂子层，掺杂子层包括依次叠设的第一高温相层、第二高温相层和第三高温相层，非掺杂子层和掺杂子层的前驱体材料为 TEGa。本公开既能够保证结晶质量，又能够保证高掺杂浓度。
天眼查资料显示，京东方华灿光电（广东）有限公司，成立于 2022 年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本 186000 万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（广东）有限公司参与招投标项目 31 次，专利信息 116 条，此外企业还拥有行政许可 111 个。
