国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 ; 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司取得一项名为 "LDMOS 结构及其形成方法 " 的专利，授权公告号 CN115376920B，申请日期为 2021 年 5 月。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于 2000 年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本 244000 万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了 4 家企业，参与招投标项目 116 次，财产线索方面有商标信息 153 条，专利信息 5000 条，此外企业还拥有行政许可 447 个。
中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，成立于 2002 年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本 100000 万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司共对外投资了 1 家企业，参与招投标项目 49 次，专利信息 5000 条，此外企业还拥有行政许可 225 个。
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作者：情报员
