《科创板日报》1 月 13 日讯（编辑 宋子乔） A 股存储行业首份业绩预增公告出炉。今日晚间，佰维存储（688525.SH）公告称，公司预计 2025 年实现营业收入 100 亿元 -120 亿元，同比增长49.36%-79.23%；2025 年四季度单季营收 34.25 亿元 -54.25 亿元，同比增长 105.09%-224.85%，环比增长28.62%-103.73%。
谈及业绩增长原因，佰维存储称，受全球宏观经济环境影响，存储价格从 2024 年第三季度开始逐季下滑，2025 年第一季度达到阶段性低点，公司一季度产品销售价格降幅较大。从 2025 年第二季度开始，随着存储价格企稳回升，公司重点项目逐步交付，公司销售收入和毛利率逐步回升，经营业绩逐步改善。2025 年度公司在 AI 新兴端侧领域保持高速增长趋势，并持续强化先进封装能力建设，晶圆级先进封测制造项目整体进展顺利，目前正按照客户需求推进打样和验证工作，为客户提供 " 存储 + 晶圆级先进封测 " 一站式综合解决方案。
截至 2025 年 12 月 2 日，国家大基金二期位列佰维存储第二大股东，持股 3223.94 万股，占公司总股本的 6.91%。
就在净利预增公告披露前一天，该公司披露了大基金减持计划，其持股 5% 以上股东国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司计划减持不超过 934.26 万股，占公司总股本比例不超过 2%，拟通过集中竞价和大宗交易方式实施，其中集中竞价减持不超过 467.13 万股，大宗交易减持不超过 467.13 万股，减持期间为 2026 年 2 月 4 日至 2026 年 5 月 3 日，减持原因为公司自身经营管理需要。
全球存储芯片行业迈入 " 超级周期 " Q1 产品涨价幅度有望超预期
佰维存储在近期披露的投资者关系活动记录汇总表中表示，2025 年第三季度，闪迪宣布启动年内第二次涨价，长存、美光等存储企业也已经分别发布涨价函，产品的价格已经有所企稳回升，经过上半年的减产与库存去化，NAND 供需失衡情况已明显改善，行业机构预测 NAND Flash 价格在 2025 年第三季度上涨 3-8%，在第四季度继续上涨 5-10%。
DRAM 方面，由于三星、美光、海力士的业务中心仍在 HBM 等高端产品，陆续减少 DDR4 以及 Mobile 用 LPDDR4X 供应，并宣布相关产品进入 EOL，引发了相关产品供应短缺，产品价格上涨，行业机构预测一般型 DRAM 价格在 2025 年第三季度上涨 10-15%，在第四季度继续上涨 8-13%。
全球存储龙头厂商 SK 海力士和三星均受益于内存芯片价格的大幅上涨。近日有消息称，三星与 SK 海力士已向服务器、PC 及智能手机用 DRAM 客户提出涨价，今年一季度报价将较去年第四季度上涨 60%-70%。
招商证券最新研报称，AI 驱动全球存储芯片行业迈入 " 超级周期 " 阶段，供需错配带动产品涨价幅度超预期。国内外存储扩产持续推进，长鑫、长存 IPO 节奏加速，看好上游半导体设备投资机会。
需求端，英伟达推出新存储平台，AI 存储需求持续升级。2026 年 1 月 6 日，英伟达在 CES 展会推出新一代 Rubin AI 平台，其中，BlueField-4 为推理上下文内存存储平台，本质为构建一个介于 GPU 高速内存和传统存储之间、由 SSD 构成的 " 内存层 "，以高效经济地解决海量 KV 缓存的问题。容量方面，预计在每个 GPU 原有 1TB 内存基础上，额外增加 16TB 内存，NVL72 机架预计将增加 1152TB 内存，有望带动 NAND 需求进一步增长；
供给端，供需缺口带动 26Q1 存储产品价格持续上涨。三星、SK 海力士、美光等头部存储芯片厂将主要产能转向 HBM、DDR5 等适配 AI 和数据中心的高端芯片，但维持较为克制的扩产策略，同时大幅削减 DDR4 等传统存储芯片的产能，供给收紧导致存储价格持续提升。根据 TrendForce 预估，26Q1 一般型 DRAM 合约价将季增 55-60%，Server DRAM 价格季增逾 60%，NAND Flash 各类产品合约价持续上涨 33-38%。
国泰海通证券指出，本轮由 AI 驱动的存储超级大周期的持续性很强，将带动国内存储相关半导体设备、半导体材料公司同步受益。
根据弗若斯特沙利文资料，在服务器领域，受大模型热潮带来的 AI 服务器需求激增推动，市场规模从预计于 2029 年将达到 1458 亿美元。与此同时，全球数据中心的持续扩张以及模型部署、实时数据处理等场景对 AI 推理需求的激增进一步成为重要驱动力，持续刺激高性能存储产品的强劲需求，助推整体市场增长。
