东吴证券股份有限公司周尔双 , 李文意近期对晶盛机电进行研究并发布了研究报告《英伟达新一代 GPU 有望采用碳化硅中介层，SiC 衬底新应用打开公司成长空间》，给予晶盛机电买入评级。
晶盛机电 ( 300316 )
投资要点
事件：英伟达计划在新一代 GPU 芯片的 CoWoS 工艺中以碳化硅取代硅中介层，预计 2027 年导入。
英伟达高阶 GPU 均采用 CoWoS 结构，后续高性能版本散热需求更高：英伟达 GPU 芯片从 H100 到 B200 均采用 CoWoS 封装（芯片 - 晶圆 - 基板）技术。CoWoS 通过将多个芯片（如处理器、存储器等）高密度地堆叠集成在一个封装内，显著缩小了封装面积，并大幅提升了芯片系统的性能和能效。但随着 GPU 芯片功率增大，将众多芯片集成到硅中介层容易导致更高的散热需求。
SiC 凭借其高热导率和高工艺窗口，有望显著提升 CoWoS 结构散热并降低封装尺寸：①单晶碳化硅是一种具有高导热性的半导体，其热导率达到 490W/m · K，比硅高出 2 – 3 倍，是高性能 CoWoS 结构中介层的理想材料。②与硅中介层相比，单晶 SiC 还具有更好的耐化学性，因此可以通过刻蚀制备出更高深宽比的通孔，进一步缩小 CoWoS 封装尺寸。美国尼尔森科学采用的 350 μ m 碳化硅能够制备出 109:1 的碳化硅中介层，显著高于常规硅中介层的 17:1 深宽比。
SiC 新应用场景打开，带来增量市场：以当前英伟达 H1003 倍光罩的 2,500mm2 中介层为例，假设 12 英寸碳化硅晶圆可生产 21 个 3 倍光罩尺寸的中介层，2024 年出货的 160 万张 H100 若未来替换成碳化硅中介层，则对应 76,190 张衬底需求。台积电预计 2027 年推出 7 × 光罩 CoWoS 来集成更多处理 & 存储器，中介层面积增至 1.44 万 mm2，对应更多衬底需求。
晶盛积极扩产 6&8 寸衬底产能，已具备 12 寸能力：公司目前已经攻克 12 英寸碳化硅晶体生长中的温场不均、晶体开裂等核心难题，实现了 12 英寸超大尺寸晶体生长的技术突破，成功长出 12 英寸导电型碳化硅晶体。
盈利预测与投资评级：我们维持公司 2025-2027 年归母净利润预测为 10.1/12.5/15.4 亿元，当前股价对应动态 PE 分别为 46/37/30 倍，考虑到公司多业务仍具备成长性，维持 " 买入 " 评级。
风险提示：碳化硅导入 CoWoS 工艺不及预期，技术研发不及预期。
证券之星数据中心根据近三年发布的研报数据计算，东亚前海证券有限责任公司韦松岭研究员团队对该股研究较为深入，近三年预测准确度均值为 38.62%，其预测 2025 年度归属净利润为盈利 74.74 亿，根据现价换算的预测 PE 为 6.13。
最新盈利预测明细如下：
以上内容为证券之星据公开信息整理，由 AI 算法生成（网信算备 310104345710301240019 号），不构成投资建议。
