今年 4 月，SK 海力士宣布与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），就下一代 HBM 产品生产和加强整合 HBM 与逻辑层的先进封装技术密切合作。双合作开发第六代 HBM 产品，也就是 HBM4，其中台积电负责生产基础裸片（Base Die）。不同于以往的 HBM 产品，HBM4 将迎来定制设计，英伟达也计划在明年基于 Rubin 架构 GPU 的下一代 AI 加速器中使用。
据 TrendForce报道，传闻英伟达已开始开发自己的 HBM 基础裸片，这在供应链中泛起了涟漪，因为很可能重塑下一代 HBM 格局。预计英伟达的自研 HBM 基础裸片采用 3nm 工艺制造，计划在 2027 年下半年进行小批量试产。
目前 SK 海力士以以内部芯片设计主导 HBM 市场，但是要实现 10Gbps 以上的 I/O 速率，需要先进制程节点的支持，比如台积电的 12nm 或以下的工艺来制造芯片。由于存储器制造商缺乏复杂的基础芯片 IP 和 ASIC 设计能力，所以英伟达需要开发专用的 HBM 基础裸片，利用 NVLink Fusion 提供更多模块化解决方案，并加强生态系统控制。
有消息人士透露，英伟达会将 UCIe 接口集成到 HBM4 中，以实现 GPU 和 CPU 直接连接，这么做也将大大增加设计复杂性。最大的受益者可能是台积电，与主要芯片设计公司的密切合作，加上不断改进的制程工艺，使其处于人工智能快速发展的核心地带。
