从 2023 年到 2025 年，由于多款 HBM 产品一直未能通过英伟达的验证，让三星在 DRAM 市场受到了较大的打击，不但营收低于市场预期，也让受惠于 HBM 产品组合的 SK 海力士趁机抢占了相当大的 DRAM 市场份额。
这次三星官方的报告也与之前的第三方市场报告的结果相一致，SK 海力士凭借 HBM3E 强劲的出货表现，在 2025 年第一季度以 36% 的市场占有率，取代了三星（33.7%），成为了 DRAM 市场的领头羊。
为了重新夺回市场，三星计划今年下半年积极开发 HBM 和大容量 DDR5 等产品。仅今年上半年，三星就投入了 18 万亿韩元用于新技术新产品的研究和开发，决心克服短期困难，以在长期的技术竞争中取得胜利。
目前三星正在招聘先进封装技术方面的专家，为 HBM 设计新架构，产品规划上侧重于定制 HBM 设计，以满足客户的需求。三星计划最早在 2026 年推出定制 HBM，目标是更快地赶上 SK 海力士。
