过去两年里，随着人工智能（AI）的蓬勃发展，高带宽存储器（HBM，High Bandwidth Memory）市场的竞争也变得愈发激烈。特别是 SK 海力士，凭借 HBM3 和 HBM3E，甚至成为了 DRAM 市场的领头羊。与之相反的是三星，过去的头号玩家在 HBM3 出师不利，一直没有得到英伟达的供应资质，极大影响了收入，还丢掉了第一的位置。
目前市场对三星在 HBM4 上的进展更加乐观，很重要的一个原因是三星在 1cnm DRAM 技术上取得巨大进步，而且在生产测试中实现了 50% 至 70% 的良品率，相比于去年末不到 30% 的水平，有了大幅的提升。三星关心的并不是比竞争对手尽早地供应 HBM4，而是推出一款能实现稳定供应的产品，从而被 AMD 和英伟达的产品所采用。
除了 SK 海力士和三星外，美光也虎视眈眈，准备了自己的 HBM4。由于这次供应链上激烈的竞争，预计 HBM 价格可能会下降。根据 SK 海力士和三星的公布计划，两者的 HBM4 将在未来几个季度内进入量产阶段。
