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桑杰 · 梅赫罗特拉
大家下午好。美光公司强大的竞争地位和稳健的执行力在第三财季实现了创纪录的营收，营收、毛利率和每股收益均超过了我们预期的上限。
数据中心收入同比增长逾一倍，创下历史新高，面向消费者的市场也实现了强劲的环比增长。我们在本季度实现了可观的自由现金流，同时我们继续进行对维持长期增长至关重要的战略投资。我感谢所有美光团队成员的专注和执行力，正是他们的付出才成就了这些业绩。
在第三财季，DRAM 收入创下新高，这得益于 HBM 收入环比增长近 50%。我们仍然是数据中心 LPDRAM 量产的唯一供应商。在 NAND 领域，我们在第一季度创下了数据中心 SSD 和客户端 SSD 市场份额的新季度纪录。根据第三方数据，美光科技在第一季度首次成为数据中心 SSD 市场份额排名第二的品牌。展望第四财季，我们看到了强劲的需求环境，预计收入将环比增长 15%，达到创纪录的 107 亿美元（指引中值）。
今年 6 月，我们围绕关键细分市场完成了业务部门的战略重组，以把握未来巨大的人工智能增长机遇。随着高性能内存和存储对于推动人工智能驱动的创新日益重要，这一新架构将增强美光与客户更深入互动的能力，将更多资源转移到我们产品组合中以人工智能为中心的机会上。我们在 1-gamma DRAM 技术节点上取得了显著进展，良率增速超过了我们在 1-beta 节点上创下的纪录。
我们在本季度完成了多项关键产品里程碑，包括首批基于 1-gamma 工艺的 LP5 DRAM 的合格样品出货。美光 1-gamma DRAM 采用 EUV 技术，与 1-beta DRAM 相比，该节点的位密度提升了 30%，功耗降低了 20% 以上，性能提升高达 15%。我们将在整个 DRAM 产品组合中采用 1-gamma 工艺，以受益于这项领先技术。在 NAND 领域，我们在本季度实现了 QLC 位组合的最高纪录。我们
开始对基于我们的 G9 2 太比特 QLC NAND 的新型高性能 SSD 产品进行资格认证，并且我们将继续以与需求一致的速度提升我们的 G9 节点。
我们正在对我们的全球运营网络进行有纪律的投资，以便随着时间的推移根据需求增加供应。两周前，在特朗普政府的支持下，美光公司宣布计划在未来 20 多年在美国投资约 2000 亿美元，其中包括 1500 亿美元用于制造，500 亿美元用于研发。作为这项 2000 亿美元投资计划的一部分，美光公司计划在之前宣布的计划之外额外投资 300 亿美元，其中包括在爱达荷州博伊西市建造第二座尖端内存工厂；扩建和现代化我们位于弗吉尼亚州马纳萨斯的现有工厂，服务于汽车、航空航天、国防和工业市场；并在美国运营部门建立足够的 DRAM 晶圆规模后，将先进的封装能力带到美国以支持我们的长期 HBM 增长计划。
我们很高兴，在此次公告中，我们的客户和生态系统合作伙伴对我们的技术、产品和投资计划给予了高度认可。我们在爱达荷州的首家晶圆厂 ID1 已于今年 6 月实现了又一个重要的建设里程碑。我们预计 ID1 将于 2027 年下半年开始产出首批 DRAM 晶圆，随后将获得客户资质。爱达荷州的第二家晶圆厂 ID2 将受益于 ID1 的规模化生产经济效益，并结合研发中心的共址优势，从而提高效率并缩短产品上市时间。为了满足预期需求，ID2 将先于纽约第一家晶圆厂投产。我们预计将于今年晚些时候在纽约州完成州和联邦政府的环境评估后，开始在纽约州进行土地准备工作。
谈到我们的终端市场。在数据中心方面，我们预计 2025 财年服务器市场出货量将实现中等个位数百分比增长，这主要得益于人工智能服务器的显著增长。在第三财季，数据中心 DRAM 收入连续第四个季度创下新高，这得益于 HBM 的强劲增长和份额增长，以及我们行业领先的高容量 DIMM 和低功耗服务器 DRAM 产品组合的强劲表现。
我们的 HBM 产能提升和产品开发路线图正在顺利推进。HBM3E 12 英寸的良率和产量提升进展顺利，预计第四季度出货量将实现交叉。我们预计在 2025 年下半年，HBM 的市场份额将达到与整体 DRAM 市场份额相当的水平。
在本月早些时候 AMD 举办的 Advancing AI 活动上，我们宣布美光科技的 36GB 12 位高 HBM3E 存储器已被 AMD 的 Instinct MI355X GPU 平台采用。目前，我们正在向四家客户批量出货 HBM，涵盖 GPU 和 ASIC 平台。
随着生成式 AI 工作负载的规模和复杂性不断增长，对 HBM 的性能需求也不断提升。美光 HBM4 采用我们成熟的 1-beta DRAM 技术，并结合内部开发和制造的先进 CMOS 逻辑基片，可提供每内存堆栈每秒超过 2 TB 的带宽，性能比上一代产品提升 60% 以上。
此外，美光 HBM4 的功耗较我们 HBM3E 12 位高产品上业已领先的功耗性能降低了 20%，为同类产品树立了新的能效标杆。HBM4 的扩展接口有助于实现快速通信和高吞吐量设计，从而加速大型语言模型和思维链推理系统的推理性能。美光已向多家客户交付 HBM4 样品，预计将于 2026 年实现量产，与客户的计划保持一致。
我们为 HBM4 的量产做好了充分准备。基于 HBM3E 量产的成功，我们拥有高质量、经过现场验证的技术，并实现了 HBM 产能的强劲且显著提升。我们与几乎所有 HBM 主要客户都建立了深厚的合作关系，并以卓越的执行力赢得了他们的信任，交付了全球功耗最低、性能最高的 HBM。
我们的高容量 DIMM 和低功耗服务器 DRAM 解决方案产品组合在本季度再创营收纪录。美光科技率先在服务器领域采用 LPDRAM，并将继续保持服务器 LP DRAM 的唯一供应商地位。我们的高容量 DIMM 和 LP 服务器产品在 2025 财年已创造了数十亿美元的营收，与去年同期相比实现了五倍的显著增长。
在第一季度，美光科技连续第三个季度创下数据中心固态硬盘 ( SSD ) 市场份额新高，这得益于我们通过垂直整合实现的差异化产品组合。在第三财季，我们的数据中心 9550 高性能固态硬盘 ( SSD ) 已入选 NVIDIA GB200 NVL72 推荐供应商名单，并已完成多家原始设备制造商 ( OEM ) 的客户认证。美光科技 9550 固态硬盘为人工智能 ( AI ) 服务器系统提供业界领先的性能和节能的第五代数据中心存储解决方案。我们将继续提升 6550 ION 60TB 容量固态硬盘的客户认证，并持续提升其收入。
再来看看 PC 市场。我们预计到 2025 年，PC 市场出货量将以低个位数百分比增长。未来几个季度，推动增长的关键因素包括人工智能 PC 的普及率不断提高以及 Windows 11 的升级周期。
美光科技致力于为 PC 市场带来差异化的高性能产品。我们强大的 SSD 产品组合助力美光科技在第一季度创下客户端 SSD 市场份额新高。明天，我们将发布全新 G9 QLC 2TB SSD，该 SSD 采用我们专有的自适应写入技术，可将写入性能提升 4 倍。这项技术在大多数消费用例中提供与 TLC NAND 相当的性能，从而拓展了 QLC SSD 的潜在市场。
谈到移动领域。我们预计到 2025 年，智能手机出货量将实现低个位数增长。人工智能的普及仍然是智能手机 DRAM 容量增长的关键驱动力，我们预计未来将有更多智能手机的容量达到或超过 12GB，而目前普通智能手机的容量仅为 8GB。美光专注于为高端智能手机市场提供解决方案，并利用我们领先的 1-beta 和 1-gamma 技术节点（用于 LP5X DRAM）以及 8G 和 9G 技术节点（用于 UFS 4 NAND 产品）。
本季度，我们开始出货业界首款基于 1 伽马节点构建的 LP5X 内存的合格样品，该内存为 2026 年的旗舰智能手机提供广泛的容量和业界领先的速度等级。美光的 1 伽马 LP5X DRAM 旨在加速高端设备中的 AI 应用，在多个用例中提供超过 25% 的更快推荐速度，同时降低 20% 的功耗，所有这些都集成在超薄外形中，非常适合移动设备。在 NAND 领域，我们赢得了关键客户的设计订单，并加快了基于 G9 的 UFS 4 产品的量产。本季度，我们移动产品组合的实力得到了 7 家智能手机 OEM 厂商颁发的最高质量奖项的进一步认可。
转向汽车、工业和消费嵌入式市场。我们预计，L2 和 L3 ADAS 功能以及支持 AI 的车载信息娱乐系统的采用将日益增长，这将推动内存和存储内容的增长以及更高的带宽需求。美光科技凭借其新产品的推出，例如业界首款支持 9.6 Gb/s 高速传输的 1-beta 双通道 LP5 DRAM，已于本季度达到量产状态，从而为在汽车市场取得长期成功奠定了基础。在工业领域，随着客户加大对 AI 应用的投资，包括在工厂自动化等关键领域，我们看到了增长的恢复。在 D4 和 LP4 供应受限以及分销渠道库存较低的市场背景下，美光科技正在推动价格改善。
现在谈谈我们的市场展望。终端市场的客户库存水平总体健康，部分客户可能因关税相关因素而采取了一些措施。我们的客户继续暗示今年剩余时间的需求环境良好，我们将继续保持灵活应对宏观环境或不断变化的关税相关形势可能带来的任何不可预见的需求变化。
我们预计 2025 年行业 DRAM 位元需求增长率将达到 15% 左右，而行业 NAND 位元需求增长率将达到两位数左右。我们预计美光的非 HBM DRAM 和 NAND 位元供应增长率将低于行业需求增长率。中期来看，我们预计 DRAM 和 NAND 的行业位元需求增长率均为 15% 左右。
正如之前所述，我们高效的节点转换将导致 2025 财年末的 NAND 晶圆产能较 2024 财年末的水平结构性下降 10%。此外，鉴于 NAND 技术转型将显著提高整体位输出，美光计划以符合我们需求的节奏有序管理节点转换。
最近的新闻报道讨论了 D4 和 LP4 产品的停产。美光科技的尖端 DRAM 节点（例如 1-beta 和 1-gamma）专注于最新一代产品，例如 D5、LP5 和 HBM，并未用于生产 D4 和 LP4。D4 和 LP4 产品主要采用我们的 1-alpha DRAM 节点生产。美光科技几个月前已向移动、客户端、数据中心和消费等高容量细分市场的客户发送了这些产品的停产通知，最终发货时间将在 2 到 3 个季度后。
此次停产流程与以往内存产品从一代过渡到另一代的流程类似，并且与以往一样，美光科技计划在未来几年内继续供应这些 1-alpha DRAM 产品，以支持其在汽车、工业、国防和网络等领域长期且需求相对较低的长期合作伙伴客户。短期内，高容量细分市场的客户将开始面临 D4 产品日益短缺的局面。我们目前正在为这些产品分配库存，并正在与客户合作，努力满足他们近期的高优先级需求。在 2025 财年下半年，D4 产品的收入占我们总收入的比例仅为个位数。我们预计，LP4 产品的短缺情况也可能因停产而加剧。
最后，美光创纪录的第三季度营收表现和强劲的第四季度前景，都源于我们战略重点和持续执行的成果。随着人工智能推动对高性能内存和存储前所未有的需求，美光已做好准备，抓住这一变革时代的机遇。我们在技术方面的领先地位，尤其体现在 HBM、1-gamma DRAM 和 G9 方面的进步。
NAND 以及严谨的全球制造业投资，支撑着我们持续增长。我们相信，我们的战略方向、创新能力以及卓越团队的执行力，将继续为股东、客户和员工创造富有意义的价值。我们有望在 2025 财年实现创纪录的营收、稳健的盈利能力和自由现金流，同时我们将加大投资，巩固我们的领导地位，以满足日益增长的人工智能驱动的内存需求。
现在我将把我们的财务业绩和展望交给马克。
马克 · J · 墨菲
谢谢，桑杰，大家下午好。美光公司第三财季业绩强劲，营收、毛利率和每股收益均高于我们上次财报电话会议中给出的预期上限。
第三财季总收入为 93 亿美元，比上一季度增长 15%，比去年同期增长 37%，创下美光公司季度收入新高。环比收入增长得益于我们终端市场的增长，包括创纪录的数据中心收入和面向消费者的市场环比强劲增长。第三财季 DRAM 收入为 71 亿美元，比去年同期增长 51%，占总收入的 76%。环比增长 15%，位出货量增长超过 20%，价格下降幅度在低个位数百分比范围内，这主要由于面向消费者的收入结构增加。第三财季 NAND 收入为 22 亿美元，比去年同期增长 4%，占美光公司总收入的 23%。环比增长 16%，位出货量增长在 25% 左右，价格下降幅度在高个位数百分比范围内。
现在转向按业务部门划分的收入。计算和网络业务部门收入为 51 亿美元，环比增长 11%，创下季度新高。这一业绩得益于 HBM 环比增长近 50%，以及高容量 DRAM 和低功耗服务器 DRAM 的增长。存储业务部门收入为 15 亿美元，环比增长 4%。这一增长主要得益于面向消费者的收入增长。移动业务部门收入为 16 亿美元，环比增长 45%。环比收入增长是由于客户库存减少以及 DRAM 内容增长带来的强劲需求。嵌入式业务部门收入为 12 亿美元，环比增长 20%，这得益于工业和消费嵌入式市场的增长。
第三财季综合毛利率为 39%，环比增长 110 个基点，较我们预期中值增长 250 个基点。毛利率高于我们预期区间的上限，主要得益于 DRAM 和 NAND 价格的上涨，但部分抵消了消费者导向产品组合的提升。
第三财季运营费用为 11 亿美元，环比增加 8700 万美元，符合我们的预期范围。增长主要源于研发投入和劳动力相关成本的增加。第三财季我们实现了 25 亿美元的运营利润，运营利润率为 26.8%，环比增长约 190 个基点，同比增长 13 个百分点。
第三财季税费为 3.06 亿美元，实际税率为 12.3%，低于我们的预期，原因是本季度一次性单项项目的影响。第三财季非公认会计准则摊薄每股收益为 1.91 美元，高于预期区间上限，环比增长 22%，同比增长超过 200%。
谈到现金流和资本支出。在第三财季，我们的运营现金流超过 46 亿美元，资本支出为 27 亿美元。本季度自由现金流超过 19 亿美元，创下六年来的最高季度水平。第三财季期末库存为 87 亿美元，库存周转天数为 139 天。受 DRAM 和 NAND 出货量环比强劲增长的推动，库存环比下降 2.8 亿美元，库存周转天数环比下降 19 天。
资产负债表显示，截至本季度末，我们持有创纪录的 122 亿美元现金和投资，并将尚未动用的信贷额度计入，流动性维持在 157 亿美元。在第三财季，我们为 9 亿美元的 2027 年到期票据进行了再融资，发行了 17 亿美元的新票据，这些票据将于 2033 财年和 2036 财年到期。本季度末，我们的债务总额为 155 亿美元，保持了较低的净杠杆率，加权平均债务到期日为 2032 年。
现在谈谈我们对第四财季的展望。我们预计收入增长将主要来自 DRAM，这得益于强劲的定价执行、良好的产品组合以及持续的成本优化，所有这些都将有利于毛利率的提升。第四财季的运营支出预计约为 12 亿美元，环比增长主要得益于未来技术节点和 HBM 产品开发的研发投入。
我们的 2025 财年资本支出计划保持不变，约为 140 亿美元。2025 财年资本支出的绝大部分将用于支持 HBM 以及设施、建设、后端制造和研发投资。我们预计第四季度的税收
税率约为 13%。如前所述，由于新加坡采用全球最低税率，我们预计 2026 财年的税率将处于 15% 左右。任何因潜在新关税而产生的影响均未纳入我们的预期。
综合考虑所有这些因素，我们对第四财季的非公认会计准则 ( Non-GAAP ) 业绩指引如下：我们预计营收为 107 亿美元，上下浮动 3 亿美元；毛利率在 42% 左右，上下浮动 100 个基点；运营支出约为 12 亿美元，上下浮动 2000 万美元。我们预计第四财季税率约为 13%。基于约 11.5 亿股的股票数量，我们预计每股收益为 2.50 美元，上下浮动 0.15 美元。
由于预计第四财季出货量将再次增长，我们预计 2025 财年结束时 DRAM 库存将保持紧张，NAND 库存将大幅减少，公司整体 DIO 将接近我们的目标水平。在库存较低且需求环境良好的情况下，我们将继续专注于改善定价并进一步强化产品组合。
在第三财季，美光科技的盈利超出预期，收入创历史新高，并持续提升我们行业领先的 HBM 产能。我们还开始转型至以细分市场为重点的新业务部门结构。从第四财季开始，我们将公布这些新业务部门的收入、毛利率和营业利润率指标。凭借强大的执行力和差异化的产品组合，美光科技已做好准备，在第四财季再次保持领先地位，并实现创纪录的收入和显著提升的盈利能力。感谢各位今天的参与。
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