2023 年末，ASML 向英特尔交付了首台 High-NA EUV 光刻机，型号为 TWINSCAN EXE:5000 的系统。业界普遍认为，High-NA EUV 光刻技术将在先进芯片开发和下一代处理器的生产中发挥关键作用，英特尔打算在 Intel 14A 工艺引入，最快会在 2026 年到来。
光刻是整个过程的第一步，将设计转移到晶圆上，然后通过沉积和蚀刻等工艺将这些设计固化。沉积是指芯片制造商将材料沉积在晶圆上，而蚀刻则是有选择地将其去除，从而为芯片创建晶体管和电路的图案。现阶段 EUV 在制造 7nm 及以下芯片中发挥了至关重要的作用，因为其能够在晶圆上转移或打印更小的电路设计。
新的晶体管设计，比如如 GAAFET 和 CFET，可以降低光刻机在芯片制造过程中的重要性。按照这位英特尔董事的说法，由于 GAAFET 和 CFET 设计从四面 " 包裹 " 栅极，从晶圆上去除多余的材料非常关键。芯片制造商将更多地关注通过蚀刻来去除材料，而不是增加晶圆在光刻机上花费的时间来减小特征尺寸。
随着芯片制造中横向方向的重要性日益增加，High-NA EUV 的重要性相比于 EUV 就没那么重要了。这种转变的最终结果是减少了对最小功能的依赖，但仍然可以获得高密度，不仅在平面上，而且还在垂直方向上。
