近日 Marvell 宣布推出全球首款基于 2nm 工艺的定制静态随机存取存储器 ( SRAM ) 。该产品专为提升定制化加速处理器 ( XPUs ) 及相关设备性能而设计，旨在满足云数据中心和人工智能集群日益增长的算力需求。
Marvell 表示，此次推出的定制 SRAM 是其为优化加速计算基础设施内存层级性能所做出的最新创新。此前，该公司已推出用于定制硅芯片的 CXL 技术，以向云服务器添加 TB 级内存和额外计算能力，并发布了可将内存容量提升 33%、同时减少 HBM 堆叠空间与功耗的定制 HBM 技术。
凭借业内最高的每平方毫米带宽，Marvell 的 2nm 定制 SRAM 可帮助芯片设计者节省多达 15% 的芯片总面积。这一 " 释放 " 的空间可用于集成更多计算核心、扩展内存容量、缩小设备尺寸与成本，或根据特定性能、应用场景及总体拥有成本目标进行灵活配置。此外，该 SRAM 采用创新的数据路径与架构设计，在同等密度下功耗较传统片上 SRAM 降低高达 66%，频率可达 3.75 GHz。
Marvell 定制云解决方案高级副总裁 Will Chu 表示：" 定制化是 AI 基础设施的未来。如今超大规模企业用于开发尖端定制 XPUs 的方法和技术，将在未来渗透到更广泛的客户群体、设备类型和应用场景中。我们期待与合作伙伴携手打造面向定制时代的技术领先方案。"
行业研究机构 650 Group 联合创始人 Alan Weckel 指出：" 内存仍是 AI 集群和云系统面临的最大挑战之一。这些系统需要尽可能多且尽可能快的内存。Marvell 从芯片内部、封装内部到系统层面全方位优化内存性能的整体策略令人信服，也凸显了定制化所能带来的巨大性能提升。"
随着过去五十年来通过不断缩小晶体管尺寸提升芯片性能的方式逐渐接近物理极限，半导体行业正转向定制化硅芯片设计，以更好地匹配用户的独特架构需求。Marvell 的定制 SRAM 正是其在这一趋势下的又一重要布局，标志着定制硅芯片时代的进一步深化。
