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太平洋电脑网 16小时前

曝 20 周年纪念版 iPhone 将引入 HBM 存储 增强端侧 AI 性能

【太平洋科技快讯】5 月 15 日,据相关爆料透露,苹果正研发多项技术用于 2027 年推出的 20 周年版 iPhone。其中,HBM ( 高带宽内存 ) 技术是关键发展方向,该技术有望大幅提升 iPhone 的性能,尤其是在设备端人工智能 ( AI ) 方面。

HBM,全称为 High Bandwidth Memory ( 高带宽内存 ) ,是一种基于 3D 堆叠技术的全新高性能 DRAM。它利用 TSV ( 硅通孔 ) 工艺将多个内存芯片垂直堆叠,在提高数据吞吐量的同时降低功耗并缩小内存芯片体积。与传统的 2D 内存相比,HBM 通过立体互联实现了更高的集成度和更快的读写速度。

苹果计划将移动 HBM 与 iPhone 的 GPU 单元连接,以增强设备端的 AI 计算能力。这项技术对于运行端侧 AI 大模型至关重要,不仅可以避免电量过快耗尽,还能显著降低计算延迟。HBM 与处理器通过相同的 Interposer 中间介质层实现紧凑连接,这种设计既节省了芯片面积,又减少了数据传输时间。

据称,苹果已与三星电子和 SK 海力士等主要内存供应商就 HBM 内存供应计划进行了讨论。三星正在开发 VCS 的封装方案,而 SK 海力士则采用 VFO 技术,两家公司都计划在 2026 年后实现 HBM 内存的量产。

尽管 HBM 内存技术优势明显,但在移动设备中的应用仍面临诸多挑战。HBM 的制造成本远高于现有的 LPDDR 内存。作为一款轻薄设备,iPhone 的散热问题将是一个重要考验。此外,3D 堆叠和 TSV 工艺采用高度复杂的封装工艺,良率也是一个不容忽视的挑战。

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