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苹果或在 20 周年纪念版 iPhone 引入 HBM 技术,还会有完全无边框显示屏等

据 etnews报道,苹果已启动了 2027 年 iPhone 机型的开发工作,由于恰逢 iPhone 发售 20 周年,自然也引起了行业的广泛关注。苹果必然会进行重大升级,结合多项创新技术,打造一款具有纪念意义的机型。

近年来,随着设备端 AI 需求增长,对内存的要求也越来越高,传闻苹果可能会在 20 周年纪念版 iPhone 机型里引入 HBM 技术,已经与三星和 SK 海力士等主要内存供应商进行了讨论。三星和 SK 海力士都在使用专有封装技术开发移动 HBM 产品,预计 2026 年之后实现量产。其中三星正在开发一种名为 "VCS(Vertical Cu-post Stack)" 的封装方案,而 SK 海力士则是称为 "VFO(Vertical wire Fan-Out)" 的技术。

HMB 全称是 High Bandwidth Memory,也就是 " 高带宽内存 ",是一种基于 3D 堆栈技术的高性能 DRAM,相比于传统内存,提供了极高的数据吞吐量。苹果希望结合移动 HBM 产品,增强 iPhone 的人工智能应用处理能力,在不增加功耗或延迟的情况下,提升大型语言模型推理或高级视觉等任务的运行效率。

对于 PC 用户来说,很早之前就已经接触到采用 HBM 技术的产品,所以并不陌生。不过不同的是,如果用于智能手机,考虑到需要适配轻薄的机身设计,将面临一些挑战,比如散热等,而且制造成本相比起常用的 LPDDR 要高得多。

苹果还打算在这款 2027 年的 iPhone 机型上配备完全无边框的显示屏,屏幕将环绕设备的四个边缘。此外,苹果可能还会采用纯硅电池,而不是传统的石墨基电池,以提高能量密度。

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