存储芯片终于走到了下行周期的尽头。
9 月 20 日消息,中国闪存市场信息网统计显示,存储原厂涨价行情正自上而下传导至现货 SSD、eMMC/UFS、卡和 U 盘等成品端,NAND 现货价格全线走高。另有消息显示,三星电子与主要智能手机客户签署的内存芯片供应协议中,DRAM 和 NAND 闪存芯片价格上调了 10%-20%。
9 月 20 日开盘,存储芯片板块出现异动。截至收盘,万润科技涨停,江波龙、东芯股份、佰维存储等跟涨。
景气周期到来
芯片被称为 " 工业黄金 ",存储芯片则是芯片市场最大细分领域。作为半导体产业重要细分市场,存储芯片具有极强的周期性。
上一轮周期顶点出现在 2021 年,在全球半导体市场规模中占比接近 28%,达 1500 亿美元。
近两年,受产业周期下行影响,市场规模出现萎缩。从 2021 年的 1500 亿美元,降至 2022 年的 1300 亿美元,再到 2023 年预计的 840 亿美元,规模接近砍半。
进入 2023 年三季度,随着存储芯片的主流产品 NAND Flash 和 DRAM 开始涨价,这一趋势正在发生改变。机构预测,行业触底后将以低增速回暖。
长远看来,随着人工智能、云计算、区块链、大数据等快速发展,存储芯片市场前景广阔。
存储器产业链下游涵盖智能手机、平板电脑、计算机、网络通信设备、汽车电子等行业以及个人移动存储等领域,不同应用场景对存储器的参数要求复杂多样,涉及容量、读写速度、功耗、尺寸、稳定性、兼容性等多项内容,由此也形成了不同的产品形态。
根据 WSTS 的数据,2022 年全球半导体市场规模为 5740.84 亿美元,集成电路占比达 83%,其中存储芯片市场规模为 1297.67 亿美元,占整个半导体行业的 23%。鉴于近两年市场景气持续下行,WSTS 预测,2023、2024 年存储芯片市场规模分别为 840.41、1203.26 亿美元。
供应格局悄然生变
存储芯片产业发源于美国,此后经历过两次大的产业转移。进入 1960 年代后,随着计算机技术的发展,电子行业开始了将集成电路技术用于计算机存储领域的尝试,存储芯片产业链从垂直整合到垂直化分工越来越明确,并经历了两次空间上的产业迁移,迁移路径由美国至日本再到韩国。
国内存储芯片起步晚,2016 年之前,国内没有生产 DRAM、Flash 的能力,直到合肥长鑫、长江存储成立。2019 年,中国大陆公司开始全面进军存储器市场,长江存储 64 层 3D NAND Flash 进入量产阶段,紧接着合肥长鑫宣布中国大陆第一座 12 英寸 DRAM 工厂投产,并宣布首个 19 纳米工艺制造的 8Gb DDR4。三年时间里,国内相继攻克了 3D NAND Flash 和 DRAM 技术,在一定程度上打破了内存和闪存制造国际寡头垄断的局面。
多位业内人士表示,存储芯片供给格局正在悄然变化,从过去高度依赖进口,到国产品牌逐渐开始占据市场。尽管目前国内存储芯片产业整体发展与海外巨头仍然存在差距,但随着国内厂商不断取得关键技术突破,市场有望迎来黄金发展期。
2023 年 5 月 21 日,网信中国发文称,网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查,审查发现,美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患,对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险,影响我国国家安全。为此,网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规,国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。
美光是美国的存储芯片行业龙头,也是全球第三大存储芯片巨头,审查结果将影响美光的产品在中国市场的销售,意味着其他存储厂商将获得更多市场机会。
根据 IC Insights 数据,全球车规 DRAM 市占率前三分别为美光、北京君正和三星,随着美光在华销售产品受到限制,国内车载存储龙头北京君正最先受益;SLC NAND 领域,国内龙头东芯股份有望从中受益。另据 CINNO Research 数据,2020 年美光在全球 NOR Flash 市场占约 4% 的份额,国内 NOR Flash 龙头厂商兆易创新有望加速产品升级以及提高市占率。
相关股概念表现亮眼
今日盘中,多只存储股概念走强。万润科技异动拉升 10.01% 封板。公开信息显示,9 月 18 日,万润科技发布 MC7000、MM100、MI7000、ME600E 等多款存储产品。2022 年 12 月 13 日,公司成立子公司湖北长江万润半导体技术有限公司,未来打算进入工业级、企业级、消费级等存储领域。相关产品已经研发出来了,正在进行市场开拓,以及送样认证,目前已经拿到一些小额订单。
佰维存储主要从事半导体存储器的存储介质应用研发、封装测试、生产和销售,主要产品及服务包括嵌入式存储、消费级存储、工业级存储及先进封测服务。
佰维存储近期在接受调研时表示,在技术端,目前正在积极布局芯片 IC 设计、先进封测、存储测试设备与算法开发等技术领域;在产品端,主要投入在工业车规、企业级产品、高端消费电子的研发,不断增强公司的核心竞争力,延伸公司的价值链条。
江波龙主要聚焦 SLCNANDFlash 等小容量存储芯片设计。据江波龙官微,9 月 14 日,广东工业大学与江波龙签署共建联合创新实验室合作协议,旨在加强产学研合作,推动存储技术研究和人才培养,共同促进科技成果的产业化和商业化。在合作期间,联合创新实验室将开展前沿技术研究和应用研究,包括但不限于存储芯片设计、存储系统架构设计、存储安全与可靠性、存储测试与评估等方面的研究,协同实现科研成果快速转化。