抢先台积电！三星成为全球首家量产 3 纳米芯片的企业

三星电子宣布，该公司已经开始在其位于韩国的华城工厂大规模生产 3 纳米半导体芯片，是全球首家量产 3 纳米芯片的公司。

三星称，与前几代工艺使用 FinFET 技术不同，三星使用的全环绕栅极（gate-all-around, GAA）晶体管技术，使新开发的第一代 3 纳米工艺可以降低 45% 的功耗，性能提高 23%，并减少 16% 的面积。三星还称，第二代 3 纳米 GAA 制造工艺也正在研发中。

我们知道，在晶圆代工市场，主要为台积电和三星两家公司竞争，而台积电仍居于主导地位，占全球晶圆代工营收的一半以上。在 3 纳米工艺上，三星已经率先实现量产，台积电预计要等到下半年才会量产。