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36氪 06-30

三星宣布量产 3 纳米制程芯片,超车台积电

6 月 30 日,三星电子宣布已经开始大规模生产 3 纳米芯片,是全球首家量产 3 纳米芯片的公司。三星称,与前几代工艺使用 FinFET 技术不同,三星使用的全环绕栅极(gate-all-around, GAA)晶体管技术,使新开发的第一代 3 纳米工艺可以降低 45% 的功耗,性能提高 23%,并减少 16% 的面积。三星并未公布首发客户名单,也没有详细说明新芯片的产量,但市场传出三星 3 纳米制程最初客户有上海磐矽半导体和高通等公司。(界面)

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