芯研所 1 月 28 日消息，去年 3 月份，Intel 新上任的 CEO 基辛格宣布了 IDM 2.0 战略，其中就包括大手笔投资新的晶圆厂，并快速升级 CPU 工艺，分别是 Intel 7、Intel 4、Intel 3 及 Intel 20A、Intel 18A，其中前面三代工艺还是基于 FinFET 晶体管的，从 Intel 4 开始全面拥抱 EUV 光刻工艺。
20A、18A 工艺中的 A 代表埃米，是首个进入埃米时代的工艺，差不多等效于其他厂商的 2nm 及 1.8nm 工艺，而且 20A 开始放弃 FinFET 晶体管，拥有两项革命性技术，RibbonFET 就是类似三星的 GAA 环绕栅极晶体管，PoerVia 则首创取消晶圆前侧的供电走线，改用后置供电，也可以优化信号传输。20A 工艺在 2024 年量产，2025 年则会量产改进型的 18A 工艺，这次会首发下一代 EUV 光刻机，NA 数值孔径会从现在的 0.33 提升到 0.55 以上。
Intel 的先进工艺未来不仅是自己用，还要对外提供代工服务，要跟台积电抢市场。在今天的财报会议上，Intel CEO 基辛格提到了 18A 工艺已经有三个客户，而且是美国军方主导的 RAMP-C 防御计划中的，具体名单现在保密。
预计 Intel 在 2025 年量产 18A 工艺的时候，台积电也会进入 2nm 节点，这也是台积电工艺的一次重要升级，台积电将在 2nm 节点推出 Nanosheet/Nanowire 的晶体管架构并采用新的材料。
