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驱动之家 10-21

无需 EUV 光刻机 铠侠开发 NIL 半导体工艺:直奔 5nm

在半导体工艺进入 10nm 节点之后,EUV 工艺是少不了的,但是 EUV 光刻机价格高达 10 亿一台,而且产量有限,导致芯片生产成本很高。日本铠侠公司现在联合伙伴开发了新的工艺,可以不使用 EUV 光刻机,工艺直达 5nm。

据据日媒报导,铠侠从 2017 年开始与半导体设备厂佳能,以及光罩、模板等半导体零组件制造商 DNP 合作,在日本三重县四日市的铠侠工厂内研发纳米压印微影技术 ( NIL ) 的量产技术,铠侠已掌握 15nm 量产技术,目前正在进行 15nm 以下技术研发,预计 2025 年达成。

与目前已实用化的极紫外光 ( EUV ) 半导体制程细微化技术相比,NIL 更加减少耗能且大幅降低设备成本。

因 NIL 的微影制程较单纯,耗电量可压低至 EUV 生产方式的 10%,并让设备投资降低至 40%。

而 EUV 设备由 ASML 独家生产供应,不但价格高,且需要许多检测设备配合。

目前 NIL 在量产上仍有不少问题有待解决,包括更容易因细微尘埃而形成瑕疵等问题。

如果铠侠能成功率先引进 NIL 量产技术,可望弥补在设备投资竞赛中的不利局面,又能符合减少碳排放的需求。

对铠侠来说,NAND 组件采取 3D 堆叠立体结构,更容易因应 NIL 技术的微影制程。

铠侠表示,已解决 NIL 的基本技术问题,正在完善量产技术,希望能率先引入 NAND 生产。

根据 DNP 说法,NIL 技术电路精细程度可达 5nm,DNP 从 2021 年春起,根据设备的规格值进行内部仿真。

DNP 透露,从半导体制造商询问增加,显示不少厂商对 NIL 技术寄予厚望。

而佳能则致力于将 NIL 技术广泛应用于制作 DRAM 及 PC 用 CPU 等逻辑 IC 的设备,供应多种类型的半导体制造商,将来也希望能应用于手机应用处理器等最先进制程。

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