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驱动之家 08-02

台积电 2nm 工厂 2024 年量产 与三星、Intel 决战 GAA 晶体管技术

前几天 Intel 发布了最新的 CPU 工艺路线图,瞄准 2024 年的 20A 工艺也首次亮相,会使用 GAA 晶体管工艺,Intel 推出了 RibbonFET 及 PowerVia 两项革命性技术。

接下来是 Intel 18A,预计 2025 年初投产,继续强化 RibbonFET,还有下一代高 NA EUV 光刻,与 ASML 合作。

Intel 决心在半导体工艺上重回领导地位,台积电也面临压力,好消息是他们的 2nm 工艺 Fab20 日前获批。

据介绍,Fab20 工厂将分为 4 期厂房逐步动工,前 2 期厂房预估会在 2023 年下半年完工并展开装机作业,2024 年下半年可望进入量产阶段,2nm 工艺 4 期厂房全部完工量产要到 2025~2026 年,总月产能将逾 10 万片规模。

台积电的 2nm 工艺虽然没有详细规格流出,但也会上 GAA 晶体管,台积电为此开发了新的 nanosheet 纳米片技术,可以更好地控制阈值电压 ( Vt ) ,波动降低至少 15%,将大大改善芯片设计、性能。

除了 Intel、台积电之外,三星的 3nm 工艺工艺也会在 2024 年左右量产,尽管 3nm 跟 2nm 工艺还差了一代,但三星是首个进入 GAA 晶体管工艺的厂商,依然不容小觑,这三大半导体巨头将在 2024 年有一场恶战,GAA 技术表现如何,三家厂商的表现让人关心。

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