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驱动之家 2021-12-03

纳米终结 半导体 10 年内进入埃米时代:靠 ASML 新 EUV 光刻机了

当前,量产的晶体管已经进入 4nm 尺度,3nm 研发也已经冻结进入试产。

在 11 月于日本举办的线上 ITF 大会上,半导体行业大脑 imec(比利时微电子研究中心)公布了未来十年的技术蓝图。

据悉,2025 年后,晶体管微缩化进入埃米尺度(,angstrom,1 埃 = 0.1 纳米),时间节点的规划是,2025 年 A14(14 =1.4 纳米)、2027 年为 A10(10 =1nm)、2029 年为 A7(7 =0.7 纳米)。

微观晶体管结构层面,imec 试图在 14 节点使用 Forksheet 结构(p 型和 n 型纳米片晶体管成对排列,类似于用餐的叉子),10 节点试图采用 CEFT 结构,1 纳米(10 )以下计划采用原子形状的沟道,依赖 Mo(钼)、W(钨)、X 为硫、Se 硒、Te(碲)等 2D 材料和 High NA(高数值孔径)EUV 光刻机来实现。

说到 High NA EUV 光刻机(0.55NA),一号原型机(EXE:5000)将在 2023 年由 ASML 提供给 imec 的联合实验室,2026 年量产,从而服务 1nm 及更先进的节点。

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