关于ZAKER 融媒体解决方案 合作 加入
IT之家 09-22

中芯国际:第二代 FinFET N+1 工艺可望于今年底小批量试产

IT 之家 9 月 21 日消息 ,上周有投资者向中芯国际求证中芯关于下一代芯片量产消息,中芯国际回答表示:中芯国际第二代 FinFET N+1 已进入客户导入阶段,可望于 2020 年底进行小批量试产。

IT 之家了解到,中芯国际于 2019 年实现了国内最先进的 14nm 工艺制程量产,并已为华为麒麟 710A 芯片等进行代工。

今年 6 月,中芯国际表示,14nm 晶圆代工产能正处于初期布局阶段,因此全球份额相对较低,不过第一代 14nm FinFET 技术已进入量产阶段,而且技术上处于国际领先水平,且具有一定的性价比,目前已同众多客户开展合作,预测产能利用率可以稳定保持在较高水平。

而关于中芯国际在下一代技术节点的开发情况,中芯国际表示第二代 FinFET 技术目前已进入客户导入阶段,与第一代对比有望在性能上提高约 20%,功耗降低约 7%,面积缩小 63%。

中芯国际表示,14nm 及以下先进工艺主要应用于 5G 、人工智能、智能驾驶、高速运算等新兴领域,未来发展前景广阔。

中芯国际 12 英寸芯片 SN1 项目是中国内地第一条 14nm 及以下先进工艺生产线,规划月产能为 3.5 万片晶圆,目前已建成月产能 6000 片。

值得一提的是,目前由于外媒分析称中芯国际在第二代 FinFET 制程能效不及台积电 7nm 工艺,且有博主称中芯国际第二代 FinFET N+1 技术等效于台积电 8nm 工艺,因此不少媒体传出中芯国际官宣 8nm 的乌龙事件。

以上内容由"IT之家"上传发布 查看原文
科技频道

科技频道

科技改变世界

订阅

觉得文章不错,微信扫描分享好友

扫码分享

热门推荐

查看更多内容

热门订阅 换一批

查看全部