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三星电子再投 80 亿美元:扩大 NAND 产能

中关村在线 2019-12-14

三星半导体在全球范围内有着极其领先的产品优势,随着物联网的逐渐普及,对于存储的需求势必不断加大。近期据吗,媒体报道,三星电子将对其中国芯片工厂增加 80 亿美元的投资,以促进 NAND 闪存芯片的生产。

三星的此次投资正值全球内存市场预计于明年反弹之际。据预计,由于供应有限,以及对 5G 设备和网络需求的不断上升,明年全球内存芯片市场将出现反弹。

此次 80 亿美元的投资是三星西安闪存芯片项目的二期的第二阶段投资,之前的 108 亿美元为一期投资。二期项目总投资 150 亿美元,第一阶段投资约 70 亿美元,第二阶段为 80 亿美元,建成后将新增产能每月 13 万片,新增产值 300 亿元。

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